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19GHzCMOS低噪声放大器的结构分析与设计[1]第36卷第2期2006年4月微电子学MicroelectronicsVol136,№2Apr120061.9GHzCMOS低噪声放大器的结构分析与设计李志升1,李巍1,胡嘉盛1,苏彦锋2,任俊彦1(1.复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海201203;2.上海士康射频技术有限公司,上海200433)摘要:对低噪声放大器(LNA)的结构及性能进行了详细的分析。采用SMIC0.18μm射频CMOS工艺,设计了用于GSM1900无线接收机系统的两种不同结构的差动式LNA(电流复用式PMOS2NMOSLNA)和典型的NMOSLNA。利用Cadence2SpectreRFTM,对这两种结构的LNA进行了电路级仿真和对比分析。结果表明,在功耗相近时,PMOS2NMOSLNA能够提供比较大的电压增益,其噪声特性与NMOSLNA相近;NMOSLNA在线性度以及芯片面积上有更多的优势。关键词:GSM;射频;低噪声放大器;线性度;阻抗匹配中图分类号:TN722.3文献标识码:A文章编号:100423365(2006)0220220205TopologyAnalysisandDesignofa1.9GHzCMOSLowNoiseAmplifierLIZhi2sheng1,LIWei1,HUJia2sheng1,SUYan2feng2,RENJun2yan1(1.ASIC&S……