19GHzCMOS低噪声放大器的结构分析与设计[1]第 36 卷第 2 期 2006 年 4 月 微 电 子 学 Microelect ronics Vol1 36 , № 2 Ap r1 2006 1. 9 GHz CMOS 低噪声放大器的结构分析与设计 李志升1 , 李 　 巍1 , 胡嘉盛1 , 苏彦锋2 , 任俊彦1 (1. 复旦大学 专用集成电路与系统国家重点实验室 , 上海 　 201203 ; 2. 上海士康射频技术有限公司 , 上海 　 200433) 　 摘　 要: 　 对低噪声放大器 ( L NA ) 的结构及性能进行了详细的分析 。采用 SM IC 0. 18 μm 射频 CMOS 工艺 ,设计了用于 GSM1900 无线接收机系统的两种不同结构的差动式 L NA ( 电流复用式 PMOS2NMOS L NA ) 和典型的 NMOS L NA 。利用 Cadence2Spect reRF TM , 对这两种结构的 L NA 进行了电路级仿真和对比分析 。结果表明 ,在功耗相近时 ,PMOS2NMOS L NA 能够提供比较大的 电压增益 ,其噪声特性与 NMOS L NA 相近 ; NMOS L NA 在线性度以及芯片面积上有更多的优 势。 关键词 : 　GSM ; 射频 ; 低噪声放大器 ; 线性度 ; 阻抗匹配 中图分类号 : 　TN722. 3 　　　　　 文献标识码 : 　 A 　　　　　　 文章编号 :100423365 (2006) 0220220205 　 Topology Analysis and Design of a 1 . 9 GHz CMOS Lo w Noise Ampl if ier L I Zhi2sheng1 , L I Wei1 , HU J ia2sheng1 , SU Yan2feng2 , R EN J un2yan1 (1 . A S IC & S ……