标签: 插损

插损分析基本概念：1.1插入损耗：包括理论损耗与附加损耗；理论损耗是耦合器每一路输出与输入能量比而决定的，当确定了耦合器的耦合度后，其值是确定的；附加损耗包括由于端口回波损耗造成的传输损耗及介质损耗、导体损耗、接头损耗等，它跟选择的材料是相关的。1.2耦合带内波动：表征在工作频段内，耦合度在其平均值上下波动的范围，代表不同频点能量传输相对于平均水平的差异。2、理论分析：2.1理论损耗：耦合器：耦合器的理论损耗是根据耦合能量的大小来计算的，即由耦合度的大小来确定的，其理论分析如下：我们知道，耦合器的传输原理如下图所示：[pic]P1口为输入端，P2口为输出端，P3口为耦合端，P4口接的是50Ω负载为隔离端。根据计算公式，耦合度C=10log[pic]（式1）,理论损耗IL=10log[pic]（式2）根据能量守衡定理知：P2=P1-P3，则理论损耗也可表示为：IL=10log[pic]=10log(1-[pic])（式3），5db理论损耗为计算如下：利用公式1，-5=10log[pic][pic]=0.316，带入公式3，可得理论损耗IL=-1.65dB。2.2附加损耗：2.2.1传输损耗：传输损耗是由于端口的回波损耗而造成的能量反射而引起的，由于任何一个器件的端口驻波比不可能做到1∶1，所以传输损耗总是存在的。当各端口驻波比为1.2∶1时，能量传输为99.2%，则有0.8%的能量被反射，造成的传输损耗：L=10lg（99.2%）=-0.035dB，两个端口由于能量反射造成的传输损耗约为-0.07dB。2.2.2导体损耗：导体损耗是由于功率能量……