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耦合器插损分析
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类别: 消费电子
时间:2020-01-14
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资料介绍
插损分析 基本概念: 1.1插入损耗:包括理论损耗与附加损耗;理论损耗是耦合器每一路输出与输入能量比而 决定的,当确定了耦合器的耦合度后,其值是确定的;附加损耗包括由于端口回波损耗 造成的传输损耗及介质损耗、导体损耗、接头损耗等,它跟选择的材料是相关的。 1.2耦合带内波动:表征在工作频段内,耦合度在其平均值上下波动的范围,代表不同频 点能量传输相对于平均水平的差异。 2、理论分析: 2.1理论损耗:耦合器: 耦合器的理论损耗是根据耦合能量的大小来计算的,即由耦合度的大小来确定的,其理 论分析如下: 我们知道,耦合器的传输原理如下图所示: [pic] P1口为输入端,P2口为输出端,P3口为耦合端,P4口接的是50Ω负载为隔离端。根据 计算公式, 耦合度C=10log[pic] (式1), 理论损耗IL=10log[pic] (式2) 根据能量守衡定理知:P2=P1- P3,则理论损耗也可表示为:IL=10log[pic]=10log(1-[pic]) (式3), 5db理论损耗为计算如下: 利用公式1,-5=10log[pic] [pic]=0.316 ,带入公式3,可得理论损耗IL=-1.65 dB。 2.2附加损耗: 2.2.1传输损耗: 传输损耗是由于端口的回波损耗而造成的能量反射而引起的,由于任何一个器件的 端口驻波比不可能做到1∶1,所以传输损耗总是存在的。当各端口驻波比为1.2∶1时,能 量传输为99.2%,则有0.8%的能量被反射,造成的传输损耗:L=10lg(99.2%)=- 0.035dB,两个端口由于能量反射造成的传输损耗约为-0.07dB。 2.2.2导体损耗: 导体损耗是由于功率能量……
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