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各种元件的版图版图学习一．MOS管工艺（1）普通MOS管这种结构很容易和多晶硅电阻混淆，判别方法是：1．多晶硅是否放置在有源区上面；2．看多晶硅有几个端口引出。高宽长比MOS器件：（2）叉指MOS管叉指MOS管判断的关键是看多晶硅层，观察它有几个输入。（3）耐高压MOS管该晶体管为Extended-Drain,High-Voltagetransistor，为非自对准工艺，版图示意如上。这种晶体管使用n阱作为轻掺杂的漏极。这种结构为源漏不对称的MOS管，具体实现高压原理不是很清楚。（4）功率开关MOS管版图上的一半面积都用来做电路中的一个关键器件――功率开关MOS，版图示意如上。源漏区域为矩阵结构，且漏极也做在n阱中，为非自对准工艺，因此判断这个晶体管是waffletransistor和ExtendedDrainHVtransistor的结合，可承受高压大电流。另外，在版图中，NMOS和PMOS可通过如下规则判断：1、对于数字电路，CMOS中的P管W/L大，N管W/L小2、源极接Vdd的一般为PMOS，接Vss的一般为NMOS3、模拟电路不完全服从以上规律。可结合电路结构来分析。如差分放大器尾电流接Vss，则差分对及尾电流MOS器件为NMOS，负载管则可以基本判定为PMOS二．BJT工艺基本规则：从版图上来看，晶体管的集电极和发射极具有相同的颜色。BJT工艺一般分为VNPN和LPNP两种工艺，其中VNPN又分两种：StandardVNPN和double-baseVNPN（1）VNPN（2）double-baseVNPN（3）LPNP其他形式的版图：（4……