各种元件的版图版图学习 一． MOS 管工艺 （1） 普通 MOS 管 这种结构很容易和多晶硅电阻混淆，判别方法是： 1．多晶硅是否放置在有源区上面； 2．看多晶硅有几个端口引出。 高宽长比 MOS 器件： （2） 叉指 MOS 管 叉指 MOS 管判断的关键是看多晶硅层，观察它有几个输入。 （3） 耐高压 MOS 管 该晶体管为 Extended-Drain, High-Voltage transistor，为非自对准工艺，版图 示意如上。这种晶体管使用 n 阱作为轻掺杂的漏极。 这种结构为源漏不对称的 MOS 管，具体实现高压原理不是很清楚。 （4） 功率开关 MOS 管 版图上的一半面积都用来做电路中的一个关键器件――功率开关 MOS，版 图示意如上。源漏区域为矩阵结构，且漏极也做在 n 阱中，为非自对准工艺，因 此判断这个晶体管是 waffle transistor 和 Extended Drain HV transistor 的结合，可 承受高压大电流。 另外，在版图中，NMOS 和 PMOS 可通过如下规则判断： 1、对于数字电路，CMOS 中的 P 管 W/L 大，N 管 W/L 小 2、源极接 Vdd 的一般为 PMOS，接 Vss 的一般为 NMOS 3、模拟电路不完全服从以上规律。可结合电路结构来分析。如差分放大器尾电 流接 Vss，则差分对及尾电流 MOS 器件为 NMOS，负载管则可以基本判定为 PMOS 二． BJT 工艺 基本规则：从版图上来看，晶体管的集电极和发射极具有相同的颜色。 BJT 工艺一般分为 VNPN 和 LPNP 两种工艺， 其中 VNPN 又分两种： Standard VNPN 和 double-base VNPN （1） VNPN （2） double-base VNPN （3） LPNP 其他形式的版图： （4……