随着MEMS设计和制造工艺的成熟,现在已经可以利用CMOS工艺和材料在硅晶圆上制造MEMS振荡器了。
MEMS振荡器的制作过程如下:首先在绝缘硅(SOI)晶圆加入四个光罩平面,在此基础上加工机械的‘音叉’或连接到基底一侧的梁(beam),并用一种深沟蚀刻制程与其它部份隔开。该制程为高10 微米、宽度可依照所需频率来决定的梁开了一条400 奈米宽的沟,当梁在被电极以静电方式驱动时可以自由振荡。在梁的另一侧设有一个电容传感器,以检测振荡频率并驱动用来调节该讯号的PLL ,产生类似于传统石英晶体的时基。
MEMS振荡器像个米粒
与传统的石英振荡器相比,MEMS振荡器具有以下几个方面的优势:(1)可编程,能够获得任何需要的频率;(2)可以方便地将MEMS振荡器集成到功能芯片中去,以降低成本;(3)可以在一个芯片中集成多个振荡器;(4)尺寸更小。
石英晶体振荡器之与MEMS器件,有如电子管之与晶体管
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