原创 快闪不够快 将要被取代

台湾DigitalHome杂志2008年第1期发表文章快闪记忆体 谁是接班人？，提出了快闪存储器有存取速度上发展瓶颈，同时也对非易失性存储器的未来发展形势进行了分析。

Samsung 32Gb闪存芯片

目前，快闪存储器进行一次存取操作大约需要70ns，耗费的时间相当于普通内存的100倍以上。当年被认为速度如闪电的Flash memory，如今的速度甚至不及硬盘。存取速度正在成为Flash Memory未来发展道路上难以逾越的障碍。而同样作为非易失性存储器的MRAM速度为25ns，PCM的速度最快，为5ns（200MHz）。那么，如果要在MRAM和PCM之间做出选择，哪个更加有前途呢？

MRAM是靠磁场翻转来实现0和1的转换，理论上速度可与SRAM相匹敌，且没有读写寿命的限制。但是，由于工艺上一直未能突破尺寸和存储密度上的约束，目前单颗MRAM芯片的容量最多也只有512KB，与闪存不可同日而语。

PCM也是依靠材料的特性变化以记录数字信息，记忆原理与光盘刻录相似。PCM的核心是一小片特殊材质合金，可以在两种结构之间改变，不同的结构有不同的电阻，要改变PCM的状态，也是透过电力加热核心然后停止加热，藉由快速停止或缓慢停止加热，将会导致PCM进入无定形（amorphous）或水晶（crystalline）两种状态。

PCM的构造

从几十年前发现PCM的原理以来，PCM的进步速度并不快，直到这几年才疯狂加速。去年三星电子发布了单颗512Mbits的PCM雏形，英特尔也在去年的IDF上发表了与ST(义法半导体)合作制造的128Mbits的PCM。最近，以制造闪存为主业的台湾旺宏公司宣布，将与IBM、奇梦达一起开发PCM。种种迹象表明，PCM取代Flash Memory，只是早晚的事情。

【名词解释】

MRAM：Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻式随机存取存储器

PCM：Phase Change Material，相变材料