原创 MB85RC1MT - 1Mb内存的全新FRAM器件

 2014-3-18 12:52  6313 12 12 分类: 采购与分销

FRAM即铁电存储器。FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件（诸如磁场因素）的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。

FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。

从1999年截至2013年6月，富士通FRAM产品的累计交货量已经超过23亿片，其所制造的FRAM产品以非易失性、高速烧写、高读写耐久性1万亿次、随机存储以及低功耗等诸多优点在存储器产品中脱颖而出。如下列出几款常见FRAM：

I2C串行接口FRAM：

MB85RC16PNF-G-JNERE1 (16 bit)
　　MB85RC64PNF-G-JNERE1 (64k bit)
　　MB85RC256VPF-G-JNERE2 (256k bit)

SPI串行接口FRAM：

MB85RS16PNF-G-JNERE1 (16k bit)
　　MB85RS64PNF-G-JNERE1 (64k bit)

MB85RC1MT，是目前富士通半导体I²C串行接口产品中最高内存容量的产品，现已可为客户提供样品。全新MB85RC1MT可保证有10万亿次写入/擦除 (write/erase) 周期，适用于需要经常重复写入数据之应用，例如工厂自动化、测试仪器及工业设备所需之实时数据登录应用。产品主要目标市场有工业控制、医疗、测量仪表/仪器、汽车电子、娱乐产品、新能源以及工厂自动化等。现在富士通半导体同时拥有广泛的I²C与SPI串行接口产品系列，为客户提供最符合他们要求的非挥发性存储器产品。

FRAM是一种兼具非挥发性与随机存取功能的存储器，能在没有电源的情况下可储存及高速写入数据。

MB85RC1MT可在摄氏零下40度至85度的温度范围。以1.8V至3.6V工作电压运作，可支持3.4MHz 的“高速”操作模式，并可在与传统EEPROM相同的1MHz环境进行读写数据作业。MB85RC1MT保证有一万亿次写入/擦除周期，大幅超越传统EEPROM的写入/擦除周期次数，并可支持I²C接口及其他接口产品的实时数据登录等频繁的重复写入数据作业。

此外，对于一些需要使用I²C接口EEPROM应用场合，现在都可以由富士通半导体的新款FRAM产品取而代之，以实现高频率数据输入和高精度数据撷取（如图一），更能够降低数据写入的时功耗（如图二）。

图一：数据写入/擦除周期比较

图二：EEPROM和富士通半导体FRAM产品之数据写入作业功耗比较

MB85RC1MT的出现增加了富士通半导体的FRAM产品阵容：I²C 接口（支持4 Kb至1 Mb内存容量）和SPI接口（16 Kb至2 Mb内存容量）（如图三）。这些FRAM产品采用业界标准的8针脚SOP封装（如图四），因而可取代EEPROM或序列闪存（如图五），并适用于工厂自动化、测试仪器及工业设备等应用，更无须大幅修改电路版的设计。