原创 Flash闪存分类介绍

Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后，内部的数据仍然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存。大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

项目	NOR flash	NAND flash
特点	芯片内执行	系统RAM中
传输效率	高	中
写入/擦除操作的时间	5s	4ms
擦除器件时块大小	64～128KB	8～32KB
接口	SRAM接口	I/O口来
寿命(耐用性)	十万次	一百万次

Nor Flash常常用于存储程序，最初MP3芯片不太成熟的时，曾经有使用过Nor Flash，比如炬力ATJ2075，SunplusSPCA7530等。目前这种Flash已经使用的不多了，只有少数的读卡MP3和数码相框中还有见到，因为这种支持SD卡的产品中没有内存，芯片内的ROM不够存储程序，所以需要用到Nor Flash存储程序。

另外AG-AND Flash 是日本Renesas(瑞萨)公司的技术，良品率不是很高，而且有效容量也比较低。原厂推出的Flash，容量有88%、92%、96%，96%可以用于MP3产品中，而另外两种只能用于U盘和SD卡产品中。我个人认为其性能比较差，尽量不要使用。现在Renesas已经推出Flash的生产商行列，而AG-AND技术也转给台湾力晶公司在继续生产。

Nand Flash也有几种，根据技术方式，分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。SLC是Single level cell的缩写，意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell，意为该技术允许2 bit的数据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。

SLC与MLC的参数对比：

SLC与MLC的参数对比：
项目	SLC	MLC
电压	3.3V/1.8V	3.3V
生产工艺	0.12um	0.16um
页容量/块容量	2KB/128KB	512KB/32KB or 2KB/256KB
访问时间(最大)	25us	70us
页编程时间(典型)	250us	1.2ms
可否局部编程	Yes	No
擦写次数	100K	10K
数据写入速率	8MB/S+	1.5MB/S

可想而知，SLC的技术存储比较稳定，SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中有2bit数据，这样同样大小的晶圆就可以存放更嗟氖荩簿褪浅杀鞠嗤那榭鱿拢萘靠梢宰龅母螅庖彩峭萘浚琈LC价格比SLC低很多的原因。通常情况下相同容量的MLC和SLC，MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。

为了区分SLC和MLC，我向大家介绍3个方法：

1、 看Flash的型号：根据Flash的命名规则，进行区分。

2、 格式化，看是否稳定：

目前市场上还流行黑片、白片的说法，这些都是Downgrade Flash的类型，由于Flash制程和容量的提升，内部的构成越来越复杂。而新的制程推出时，产品良率并不一定理想，那些不良的Flash有些是容量不足，有些是寿命不能达到要求，有些是测试不能通过，这些不能达到出厂要求的Flash都被称为Downgrade Flash。Downgrade Flash有些由厂家推向市场，比如Spectech等就是镁光(Micron)的Downgrade Flash。而另外一部分作为废品淘汰掉，但是利润驱使，这些废品也会低价被收购流入市场。一些厂家以各种方案的扫描工具(Soting Board)来检验出来哪些能够使用。这些厂家收购Flash按斤回收，通过少则数十台Soting Board，所则上千台Soting Board一同扫描，每天有上百K的产能。大部分Downgrade Flash被做成SD卡，少数用于U盘，极少数厂家用于生产MP3。Downgrade Flash的处理方式多数是降低容量出售。可是不论怎样处理，都还是存在问题隐患。但由于价格低廉，Downgrade Flash的市场正在进一步成长。大家购买产品时可要注意了！