原创 新内存技术问世，CMOx NVM将取代NAND快闪

半导体数据存储市场服务的初创企业Unity半导体公司(http://www.unitysemi.com/)不断致力于新内存技术的开发，不久前该
公司宣布成功开发一种可取代NAND Flash的新内存技术，相信不久以后，NAND
Flash为记忆卡和固态硬盘唯一解决方案的局面将出现大幅改变。

Unity成立于2002年，目标是挑战业界最小的芯片尺寸和最低的成本。该公司透过多层储存数组结构，和一种名为CMOx的新型关键技术来实现这项目标。CMOx主要是在伴有离子运动的半导体制程中，加入一种导电性金属氧化物新材料。

CMOx是一种新一代NVM技术，它采用Unity的专利技术，能在特定的金属氧化物组合中发生转换效应。Unity在CMOx中使用的转换概念不同于传
统的闪存技术。CMOx技术的储存效应来自于离子载流子的运动。由于不需要储存单元晶体管，CMOx可用于产生被动式交叉点多层储存数组。其他的储
存技术，如相变化内存（PCM）和磁性随机存取内存（MRAM）等，每个储存单元都需要一个晶体管，因此不符合交叉点多层芯片结构的要求。

公司董事长、首席执行官兼总裁Rinerson说过，唯有CMOxTM 的单元尺寸才能打败NAND，CMOxTM
实现了40年来一直梦想的概念，也就是被动式可擦写交叉点存储技术（passive rewritable cross -point
memory
technology）和存储阵列的多物理层技术，由于CMOxTM应用了“新方法和新材料，这些概念变为了现实，否则是实现不了的。不采用这些新概念的
话，读写交叉点存储单元是无法实现的。

利用CMOxTM 技术生产的产品，预计其密度是目前的NAND闪存的4倍，写入速度是NAND闪存的5-10倍。

CMOxTM
不仅要在所有重要的高密度/高性能内存市场领域（固态驱动器、独立内存、嵌入式内存）成为NAND闪存的替代技术，而且要成为接续NAND闪存的技术，逐渐拓展到高性能的嵌入式和企业级应用产品之中。

为了保护开发成果，Unity
Semiconductor公司申请了大量专利，专利组合之中现有60多项正式专利，还有90项专利申请正在办理之中。

Unity
Semiconductor公司研制64Kb产品花了2年时间，64Mb产品花了1年时间，而64Gb产品已于2010年上半年面市。

除了技术创新，Unity的其他技术优势，还包括可将前段（FEOL）的CMOS芯片制程与后段（BEOL）的内存层制程分离。CMOS芯片不需要新的制程技术，可在CMOS逻辑产线进行生产，以现有的产能，只需拥有90奈米的CMOS后段制程即可。

目前
CMOx主要针对新兴市场应用，如固态硬盘、行动上网装置和智能型手机等。根据市调机构预测，到了2012年，这些应用市场将有90％以上产品采用嵌入式
闪存。根据市场研究机构的预测，Unity乐观预估，到了2010年，该公司的内存市场规模将达到150亿美元左右，2013年则将超过250亿
美元。