原创 光耦隔离继电器

2009-5-20 10:28 9115 14 15 分类: MCU/ 嵌入式

应该用共射电路驱动,避免用射随。
关于电路参数,设计上每个数值的选取都是有意义的,不能乱来。
以跟楼顶图的逻辑完全一致的<Fig.1>为例:
1、先查好继电器的吸合电流,在此假设为60mA。
2、从驱动管SS9013的手册查得直流放大倍数不小于64(图中打不出≧,以>代替了),算得基极电流Ib不小于1mA,Rb应≦4.3k,考虑到电源波动及电阻误差等因素实际取值为2.7kΩ~3.3kΩ。
3、根据TLP521的手册查得CTR≧50%,因此须使P1.1输出一路能有2mA驱动,R11须≦1.2k,考虑到误差并参照TLP521手册中的CTR测试条件,实际取值为430Ω~510Ω。
点击开大图


Rbe的作用:


当光耦非驱动时(或单片机电源迟于继电器电源上电时),Q1基极如果开路的话则很容易受干扰使继电器误吸合。有了Rbe就可以避免让Q1基极处于高阻态。
另一方面,Rbe可以抑制三极管的穿透电流Iceo。质量差的管子Iceo也大,成为诱导继电器误吸合的原因之一。
由于Rbe造成的分流=0.7V/Rbe,通常有百把uA就足够了,不很严格,Rbe通常取4.7k~10k。

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文章评论1条评论)

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用户1518955 2013-5-25 22:43

很详细的文档,谢谢了。
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