原创 MOSCAP结构之二：制作流程（1）

MOSCAP结构是在半导体制造过程中形成的一种基本器件结构（如图1所示）。尽管这类器件可以用于真实电路中，但是人们通常将其作为一种测试结构集成在制造工艺中。由于这种结构比较简单而且制造过程容易控制，因此它们是评测底层工艺的一种方便的方法。

图1

本制作过程使用四个晶圆片，p型，Bor， 7－21欧姆厘米

1：编号

使用金刚石笔在每个晶圆的背面写上编号

如下图所示，晶圆片有一点边缘被切掉，将此缺失定义为“下”，那么相应地，可以用正反，上下左右中来描述晶圆片的不同部分。在下面的测量中会使用到这些定义。

2：清洗

  1，SC1溶剂 NH4OH: 215 ml； H2O：1071 ml； H2O2： 215 ml

     温度：70度

     时间：10分

     取出后吹干

  2，使用1％的HF-Dip冲洗

  3，SC2溶剂  H2O：1125ml； HCL： 128ml；  H2O2：128ml

     温度：70度

     时间：10分

     取出后吹干

A：制作氧化层

3：氧化层制作  30nm
使用一个加热炉进行，原理和设备如下图
使用不同的方法
片1和片3：  1100度，170秒
片2和片4：  1150度，110秒













4：

从测试结果来看，片2和片4和效果很好


B：去除晶圆片背面的氧化层

6a：预热：200度，15分

6c：将晶圆片静置30分

6d：120度加热5分钟

6e：放入溶剂中腐蚀氧化层（好像是盐酸什么的，记不清了）
取出后发现正面的保护层也有较多伤痕

6f：去除保护层
溶剂是   硫酸:过氧化氢＝ 3:1
时间 10分
之后观察晶圆表面，没有较明显的伤痕。说明之前的伤痕只是保护层上面的，并没有伤害到氧化层。



C：金属镀层（正面）

7a：将晶圆片正面朝下放入“蒸炉”（不知道汉语的名字？），将气压降到1E－5 mbar，然后通入氩气，直到气压升至1E－1 mbar，电流20mA，持续3分钟。然后持续抽气，第一天实验结束，炉内气压降为7E－7 mbar过夜。

1巴（bar）=105帕（Pa）