7b：经过降压，炉内已经接近真空状态，第二天可以开始镀铝。铝蒸汽附着的速度为11埃每秒，此实验要求铝的厚度为1um，所以镀铝过程持续15分钟。
7c：升压后取出晶圆片。
D：影印
8a：铝的氧化，为了保证光刻胶较好地附着在晶圆片表面。
室温，置于65％的HNO3溶剂内，15分钟。
8b：使用平板加热器烘烤30分钟，120度
8c：利用甩胶机涂抹光刻胶。AZ5214（不知道具体是什么溶剂？） 甩胶机
模式5，转速4000。之后晶圆片静置30分钟。
8d：使用平板加热器烘烤2分钟，90度
8e：照射。可能的话先将母版在丙酮中清洗。利用400nm的光线照射2.5
秒。本实验采用反显影技术，即被光线照射的部分会被清洗掉。
将母版放入卡槽
将卡槽装入照射机
照射机手臂自动将晶圆片移入
照射
8f：烘烤1分钟，123度
8g：除去母版，使用照射机照射整个晶圆片7.5秒。（三倍于上次的照射时
间）
8h：放入显影剂中45秒。被两次照射的部分被保留下来。
8i：利用显微镜观察形成的结构
光刻胶形成的结构。（^_^ 看起来挺不错的）
8j：加热固化。 烘烤5分钟，140度。
8k：测量光刻胶的厚度。
使用了一个很精密的测量仪，其原理是探针移动感知光刻胶的厚度。如
下图。经过测量，我们的光刻胶厚度为1.57um。
E：铝的腐蚀
9a：溶剂的准备：磷酸，50度
9b：腐蚀。将晶圆片浸入磷酸，能看到表面附近的溶剂迅速变混浊，30秒后用水冲洗15秒，然后再次放入磷酸。如此反复直至铝层彻底被腐蚀。
9c：用显微镜观察腐蚀的边沿。
发现并不是很平整。
9d：使用丙酮去除剩余的光刻胶。
（丙酮不足，第二天实验结束）
7c：升压后取出晶圆片。
D：影印
8a：铝的氧化，为了保证光刻胶较好地附着在晶圆片表面。
室温，置于65％的HNO3溶剂内，15分钟。
8b：使用平板加热器烘烤30分钟，120度
8c：利用甩胶机涂抹光刻胶。AZ5214（不知道具体是什么溶剂？） 甩胶机
模式5，转速4000。之后晶圆片静置30分钟。
8d：使用平板加热器烘烤2分钟，90度
8e：照射。可能的话先将母版在丙酮中清洗。利用400nm的光线照射2.5
秒。本实验采用反显影技术，即被光线照射的部分会被清洗掉。
将母版放入卡槽
将卡槽装入照射机
照射机手臂自动将晶圆片移入
照射
8f：烘烤1分钟，123度
8g：除去母版，使用照射机照射整个晶圆片7.5秒。（三倍于上次的照射时
间）
8h：放入显影剂中45秒。被两次照射的部分被保留下来。
8i：利用显微镜观察形成的结构
光刻胶形成的结构。（^_^ 看起来挺不错的）
8j：加热固化。 烘烤5分钟，140度。
8k：测量光刻胶的厚度。
使用了一个很精密的测量仪，其原理是探针移动感知光刻胶的厚度。如
下图。经过测量，我们的光刻胶厚度为1.57um。
E：铝的腐蚀
9a：溶剂的准备：磷酸，50度
9b：腐蚀。将晶圆片浸入磷酸，能看到表面附近的溶剂迅速变混浊，30秒后用水冲洗15秒，然后再次放入磷酸。如此反复直至铝层彻底被腐蚀。
9c：用显微镜观察腐蚀的边沿。
发现并不是很平整。
9d：使用丙酮去除剩余的光刻胶。
（丙酮不足，第二天实验结束）
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