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MOSCAP结构之二:制作流程(2)
2009-8-11 04:07
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分类:
MCU/ 嵌入式
7b:经过降压,炉内已经接近真空状态,第二天可以开始镀铝。铝蒸汽附着的速度为11埃每秒,此实验要求铝的厚度为1um,所以镀铝过程持续15分钟。
7c:升压后取出晶圆片。
D:影印
8a:铝的氧化,为了保证
光刻胶
较好地附着在晶圆片表面。
室温,置于65%的HNO3溶剂内,15分钟。
8b:使用平板加热器烘烤30分钟,120度
8c:利用甩胶机涂抹
光刻胶
。AZ5214(不知道具体是什么溶剂?) 甩胶机
模式5,转速4000。之后晶圆片静置30分钟。
8d:
使用平板加热器烘烤2分钟,90度
8e:照射。可能的话先将母版在丙酮中清洗。利用400nm的光线照射2.5
秒。本实验采用反显影技术,即被光线照射的部分会被清洗掉。
将母版放入卡槽
将卡槽装入照射机
照射机手臂自动将晶圆片移入
照射
8f:烘烤1分钟,123度
8g:除去母版,使用照射机照射整个晶圆片7.5秒。(三倍于上次的照射时
间)
8h:放入显影剂中45秒。被两次照射的部分被保留下来。
8i:利用显微镜观察形成的结构
光刻胶
形成的结构。(^_^ 看起来挺不错的)
8j:加热固化。 烘烤5分钟,140度。
8k:测量
光刻胶
的厚度。
使用了一个很精密的测量仪,其原理是探针移动感知
光刻胶
的厚度。如
下图。经过测量,我们的
光刻胶
厚度为1.57um。
E:铝的腐蚀
9a:溶剂的准备:磷酸,50度
9b:腐蚀。将晶圆片浸入磷酸,能看到表面附近的溶剂迅速变混浊,30秒后用水冲洗15秒,然后再次放入磷酸。如此反复直至铝层彻底被腐蚀。
9c:用显微镜观察腐蚀的边沿。
发现并不是很平整。
9d:使用丙酮去除剩余的
光刻胶
。
(丙酮不足,第二天实验结束)
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