原创 瞬态响应的测试方法

电源产品的瞬态响应测试有多种测试方法。其中，有利用电子负载的动态测试功能来实现的方法。可是如何公司的电子负载没有这样的功能，或者还想实现某些特别的测试，那么也可以采用本文中描述的方法。<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

l NMOS + PMOS inverter structure

PMOS 和NMOS 以反相器联结。信号发生器提供控制信号以控制NMOS和PMOS的栅极。PMOS源接较高的电压，NMOS源接较低电压。电阻和电容用于优化瞬时波形：电阻R1改善电压过冲，两个电解电容C1和C2用来过滤输出电压。 

图 1 为实际原理图. U1 是一个双N & P-通道的场效应管。 图 2 以AAT1146为例。设置为C1=2200uF，C2=10Uf，R1=0.5Ω。测量条件是：Vin=3.6V~4.2V，Vout=1.8V, ILoad = 400mA。图2中， channel 1 是 Vin, Channel 2 是 Vout (AC).

l Diode + NMOS structure

图3 是另外另外一种测试原理图。图 4也是AAT1146的测量结果。 D1和 D2 采用 EC21QS03L.。C2 是10uF 电解电容. 测量条件同上。

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注意：

评估板或测试板的Vin和Gnd上的导线应够粗够短，焊接良好，以降低信号噪声。