原创 影响未来两年功率半导体器件需求的利好政策因素

分享一下帮客户分析明后年市场需求时的一些发现和心得：

2010年底之前的4万亿元投资涵盖基础设施建设、生态环境建设、民生工程等。其中，我认为以下一些投资和产业动向与电子信息整机制造和功率半导体需求比较相关，值得特别关注：

1．基础设施投资巨大，其中包括电力、铁路、机场、城市地铁等系统的建设。例如，国家电网和南方电网分别公布了上调2009、2010两年投资额度的规划总体来看，预计两大电网公司在明后两年全国范围内年电网投资额度将达到4650亿元，这给相关供应商如功率电力电子器件IGBT厂商带来了广阔的市场空间。

2．交通基础设施的完善将进一步推动汽车电子的发展，节能减排和燃油税费改革将推动本土汽车厂商小排量、混合动力信息汽车的研发和制造。这些正面因素将部分抵消经济低迷对汽车电子的影响，从而推动对MOSFET等相关功率器件的需求。

3．“十大重点节能工程、循环经济和重点流域工业污染治理工程”新增25亿元中央预算内投资已于2008年11月末下达完毕。政府在“十一五”规划建议中两个量化指标之一：“实现十一五末单位国内生产总值能源消耗比‘十五’期末降低20％左右”。这些都为高效率的电源管理器件和新兴技术提供了极大的市场机会。

而对节能减排、生态环境建设的投入加大，还将进一步推动中国平板显示器、LED照明等光电产业的发展，而清洁能源产业如光伏也将继续得到中国各级政府的大力扶持，为相关功率器件应用带来持续增长的市场机会。

4.在消费电子方面，工业和信息化部、财政部、商务部推动“家电下乡”从12月1日起扩大到14个省区市和计划单列市，明年2月起向全国推广。实施时间暂定4年。这为将帮助因受世界金融危机影响出口或经营陷入困境的家电企业渡过难关。

5.中国3G牌照将于2009年底或2010年初发放，通信基础设施的新一轮投资热潮已到来。新联通预计2009年和2010年在以3G为主的移动业务领域投资达1000亿元；中国电信未来3年的CDMA投资金额达到800亿元；有专家预测，中国移动二期TD建网总投资可能超过300亿元。如此巨大的市场将给功率器件，特别是中高端功率产品带来上百亿元的市场空间。