标签: 功率半导体

To：展会负责人 From：陆海威先生 18701717965 2024 上海国际精密陶瓷暨功率半导体展览会 同期召开 : 2024 第 13 届上海国际导热散热材料及设备展览会 时 间： 2024 年12月18-20日 地 点：上海新国际博览中心 CIME 2024 专业、权威，涵盖整个精密陶瓷及IGBT产业链的国际盛会。 期待与您在 CIME 2024 现场相聚！ █ 展会信息 随着5G、消费电子、汽车电子、新能源汽车、半导体等领域的持续旺盛发展需求，对精密陶瓷的质与量提出了新的发展要求。精密陶瓷MLCC片式多层陶瓷电容器、LTCC低温共烧陶瓷、HTCC高温共烧陶瓷、陶瓷基板、陶瓷覆铜板、精密结构陶瓷、压电陶瓷、半导体陶瓷等产品的快速发展极大地促进了各大产业进步，数量及品质都有了突飞猛进的发展。市场本身蕴藏了极大的潜力。具有广阔的发展空间。面对国际市场上越来越激烈的竞争，对企业来讲要不断吸收新的知识和技术，适当调整产品的产销理念，应对当前发展的格局。 为了促进精密陶瓷及IGBT产业链的升级发展，强化与行业采购商的沟通与联系，推动技术升级及科技转化，由博寒展览、励悦展览主办的2024上海国际精密陶瓷暨IGBT产业链展及同期召开：2024第13届上海国际导热散热材料及设备展览会将于2024年12月18日-20日上海新国际博览中心召开。展会将集中展示精密陶瓷及IGBT产业链的最新产品与技术，为企业树立品牌形象，促进贸易合作、市场开发，引领行业趋势，加强生产、研发、销售互动，深入洞悉国内外精密陶瓷及IGBT产业链市场未来发展新风向，以发展的眼光挖掘未来精密陶瓷及IGBT产业链市场的新需求，创新展会内涵，全方位、多层次组织专业观众，为参展企业和参会客商提供了一个技术交流、产品展示和贸易洽谈的最佳平台。届时，热忱欢迎国内外的精密陶瓷及IGBT产业链企业及其相关行业人士前来参观与交流！ 目标观众：我们重点邀请全国、省、市、各相关科研单位5G、消费电子、通讯、电子电器、汽车电子、新能源汽车、半导体、航空航天、工业机械设备、人工智能、汽车（摩托车）、纺织、环保、医疗设备、新能源等领域相关领域等企业主管人员到会参观、采购洽谈。 精密陶瓷及 IGBT 产业链展 中国 • 上海 期待您的倾情参与！ █ 组织单位 组织机构：上海国际导热散热展组委会 博寒展览(上海)有限公司 深圳励悦展览有限公司 协办单位：韩国精密陶瓷协会 日本精密陶瓷协会 支持单位: 中国热设计网 北京新材料技术协会 官方网站：www.IGBT-expo.com █顶级盛会 ◎ 专业、权威，的国际盛会 — CIME 2024将邀请韩国、英国、比利时、法国、意大利、德国、美国、中国台湾等20多个国家和地区预计400家知名企业参与，展出面积预达20000平米。 ◎ 技术讲座 — CIME 2024展览期间将同期举行多项的全方位的技术交流活动，学术研讨，务求全面配合展商多元化的宣传策略，讨论行业热门话题，每场费用：国内企业20000元，国外企业4000美元（时间为1小时、不足1小时按一场收费）。 █ 展品范围： 1、陶瓷器件及材料：MLCC、LTCC、HTCC、微波介质陶瓷、压电陶瓷、钛酸钡、碳酸钡、氧化钛、氧化铝、氧化锆、玻璃粉、氮化铝、LTCC介质陶瓷粉体、稀土氧化物、生瓷带等； 2、精密陶瓷：氧化锆、氧化铝、氮化铝、氮化硅、碳化硅、氧化钇、结构陶瓷、高温陶瓷、透明陶瓷、陶瓷微珠、新能源陶瓷、陶瓷轴承、陶瓷球、半导体陶瓷（搬运臂、陶瓷劈刀、静电卡盘、蚀刻环……）、3D打印陶瓷、燃料电池（SOFC）隔膜片、穿戴陶瓷、光纤陶瓷插芯、陶瓷套筒、CIM、生物陶瓷等。 3、陶瓷基板及封装外壳：陶瓷封装外壳、DPC、DBC、AMB、HTCC基板、LTCC基板、薄膜电路板、厚膜电路板、陶瓷封装基座、热沉、氧化铝、氮化铝、氮化硅、氧化铍、莫来石粉体及基板等； 4、金属材料：银粉、金粉、铜粉、镍粉、焊料（焊片、焊膏）、MLCC用内/外电极浆料、LTCC银浆、金浆、钨钼浆料、铜浆、靶材、无氧铜带、可伐合金、金属冲压件等； 5、助剂：陶瓷和导电浆料用分散剂、黏合剂、增塑剂、絮凝剂、矿化剂、消泡剂、润滑剂、烧结助剂等； 6、陶瓷加工设备：砂磨机、球磨机、真空脱泡机、三辊机、喷雾造粒机、干压机、流延机、注塑机、3D打印机、模具、干燥设备、研磨机、精雕机、裁片机、激光设备、打孔机、填孔机、丝网印刷机、叠层机、层压机、等静压机、热切机、整平机、排胶炉、烧结炉、钎焊设备、电镀设备、化学镀、喷银机、浸银机、端银机、真空镀膜设备、显影设备、去膜设备、蚀刻机、湿制程设备、等离子清洗、超声波清洗、自动化设备、剥离强度测试仪、AOI检测设备、打标机； 二、功率半导体： 2、1、材料：碳化硅，陶瓷衬板（DBC、AMB）、封装管壳、键合丝、散热基板（铜、铝碳化硅AlSiC）、导热硅凝胶、环氧灌封胶、焊料（预制焊片）、银膜/银膏、散热器（铜、铝）、功率引出端子（铜端子）、外壳（工程塑料PPS、PBT、高温尼龙）、清洗剂等； 2、2、设备及配件：真空焊接炉、贴片机、固晶机、引线键合机、X-ray、推拉力测试机、等离子清洗设备、点胶机、丝网印刷机、超声波扫描设备、动静态测试机、点/灌胶机、银烧结设备、垂直固化炉、甲酸真空共晶炉、自动封盖设备、高速插针机、弯折设备、超声波焊接机、视觉检测设备、推拉力测试机、高低温冲击设备、功率循环测试设备、打标机、检验平台、治具等； █ 展位收费： 参展项目 规格及要求 国内企业 合资企业 外资企业 标准展位 3m x 3m 13800元/个/展期 17800元/个/展期 3000美元/个/展期 双开展位 3m x 3m 15800元/个/展期 19800元/个/展期 3500美元/个/展期 室内空地 36m²起订 1400元/ m²/展期 1800元/ m²/展期 350美元/m²/展期 █ 展位说明： 1、标准展位配置：中英文楣板、日光灯两盏、隔板（高度250cm,可用高度246cm)、洽谈桌一张、椅子两把、可容400W/220V电源插座一个及地毯； 2、订光地的展商自行负责展位布置的所需费用，详见参展商手册。 █ 展会会刊： 封面 封底 封一、二 封三 内彩页 公司介绍 25000元 20000元 15000元 8000元 5000元 2000元 ◆ 新技术发布会、新产品推广会，专题研讨会 注：会刊版面规格（210mm ╳ 142.5mm)、进口铜版纸、四色精印、版面内容由展商自行设计。 1 、 参展单位详细填写好《参展合同表》并加盖公章，邮寄或传真至组委会； 2、组委会收到确认申请表，参展商于5个工作日内将参展费用50%或全款汇入组委会帐户，并将汇款凭证传真至组委会以便查对，否则不予保留预订展位。 敬请及时与我们沟通联络，获取最新展会信息 博寒展览（上海）有限公司 地址：上海市恒南路1325号A栋305 邮编：201114 联系人：陆先生 187-0171-7965（同微信）

IGBT全球缺货成香饽饽，对从业者来说是红利期到了吗？ IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种广泛应用于电动汽车、太阳能光伏、高速铁路等领域的高压功率半导体器件，近期出现了严重的供不应求的现象，不仅价格上涨，而且难以采购。据报道，IGBT陷入大缺货，缺货问题至少在2024年中前难以解决。此前有消息称，部分厂商IGBT产线代工价上涨10%。这究竟是什么原因导致的呢？ 一、IGBT是什么？ 首先，我们先来认识一下IGBT。IGBT是绝缘栅双极型晶体管的英文缩写，是一种由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高输入阻抗和低导通压降的优点 。IGBT是电力电子装置的核心器件，广泛应用于工业、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等领域，以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域 。 IGBT的工作原理是利用MOS管的栅极沟道来控制BJT的集电极电流，实现对输出功率的调节。IGBT有三个电极，分别为G-栅极，C-集电极，E-发射极。IGBT的导通和关断状态取决于栅-射极电压UGE和集-射极电压UCE的大小 。当UGE大于一定的阈值Uth时，MOS管形成沟道，BJT导通，IGBT呈导通状态；当UGE小于或等于Uth时，MOS管沟道消失，BJT关断，IGBT呈关断状态。当UCE为负值时，IGBT呈反向阻断状态。IGBT的开关速度受到BJT的载流子复合时间的影响，因此IGBT一般适用于中低频率的开关应用。 二、IGBT为什么全球缺货？ 先说结论：IGBT全球缺货是由市场需求和供应两方面共同作用的结果，其中新能源汽车和太阳能光伏是主要的驱动因素。 市场需求方面，一是新能源汽车的快速发展。随着全球对碳中和的追求，新能源汽车成为了未来交通出行的主流选择，各国政府也纷纷出台了鼓励和支持新能源汽车发展的政策和补贴。据统计，2022年全球新能源汽车销量将达到1400万辆，同比增长近50%。而IGBT是新能源汽车中不可或缺的核心元件之一，一辆电动汽车需要使用上百颗IGBT，是传统燃油车的7到10倍。因此，新能源汽车的需求直接推动了IGBT的需求增长。 二是太阳能光伏的普及。太阳能光伏是一种清洁、可再生、低碳的能源形式，也是应对气候变化和实现碳中和的重要手段之一。随着技术进步和成本下降，太阳能光伏在全球范围内得到了快速发展和普及，尤其在中国、欧洲、美国等地区。而IGBT是太阳能逆变器的关键元件之一，用于将直流电转换为交流电，供给电网或用户使用。据悉，目前太阳能逆变器采用IGBT的比重已经大幅提升，达到了80%以上。 与此同时，供应方面，一是半导体产业整体调整。由于2022年下半年以来，全球半导体市场出现了供过于求的情况，导致价格下跌、库存积压、产能过剩等问题。为了应对市场变化，许多半导体厂商纷纷采取了减产、降价、清库存等措施，以恢复供需平衡。这也导致了IGBT等部分产品的产能被压缩或转移。 二是电动汽车厂商抢占资源。由于电动汽车对IGBT等功率半导体器件的需求量巨大且稳定，许多电动汽车厂商为了保证供应链安全和成本控制，纷纷与IGBT供应商签订了长期合作协议，并提前预定了大量订单。这也使得IGBT供应商将优先满足电动汽车厂商的需求，而其他领域的客户则难以获得足够的供货。 综上，新能源汽车和太阳能光伏都是在当今“双碳”目标下高速发展的两大领域。行业以超出预料的速度向前狂飙突进，造成了如IGBT等元器件的短期缺货。随着IGBT产能的逐步上升，其技术也在同步演进，或将在性能上进一步提高，如降低损耗、提高耐压能力、增加功率密度、提高可靠性等。可以说，IGBT的技术突破为新能源汽车、太阳能光伏等行业的发展奠定了基础，整体行业的高速发展又将带动IGBT技术持续进步。 三、当下IGBT发展到哪一步了？ 自20世纪80年代初期，在美国通用电气公司和美国无线电公司宣布发明 IGBT 后，IGBT得到世界半导体厂家和研究机构的重视。通过智慧芽研发情报库可以看到，经历了80年代到1991年的初步问世阶段和1992-2000年的结构优化阶段后，IGBT在近20年间发展迅猛，如下图所示： 高清大图获取方法↑↑↑ __IGBT性能提升阶段 (2001-2010年)：__在这一阶段，IGBT技术主要围绕着降低导通压降和开关损耗，提高开关频率和安全工作区等方面进行改进。一方面是通过优化正面 MOS 结构,提高靠近发射极区一端的电子注入效率,从而优化导通压降与关断损耗的折中关系。另一方面是通过在NPT或FS结构中引入缓冲层或注入增强层等新型结构来改善载流子分布和电场分布，从而提高器件性能。例如，IEGT（Injection Enhanced Insulated Gate Bipolar Transistor）结构在栅电极之间的区域进行EEI (Enhanced Electron Injector)进行重掺杂，称之为N+局部掺杂，目的是减弱PNP晶体管的作用，多余的电子则会与顶部的空穴进行复合，从而在漂移区的一侧，会增强顶部发射极电子的注入,这种新结构器件具有通态电压降较小，饱和电流密度较低，开关损耗也比较小。又如CSTBT（Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor）结构则是进一步的将IEGT的EEI层拓展至整个P-well阱之下，再通过MOS结构的通道层连接到发射极，进一步的增强了电子的注入能力，从而改善了载流子的分布。 __IGBT创新突破阶段 (2011年至今)：__在这一阶段，IGBT技术主要针对不同的应用需求进行差异化和创新性的设计。一方面是通过使用薄晶圆及优化背面结构，进一步降低了开关损耗，同时开关软度更高。同时，最高允许工作结温从第3代的125℃提高到了150℃或175℃，这无疑能进一步增加器件的输出电流能力。例如IGBT5使用厚铜代替了铝作为表面金属化层，铜的通流能力及热容都远远优于铝，因此IGBT5允许更高的工作结温及输出电流。另一方面是通过精细化沟槽栅技术，实现了高开关频率和低导通压降的折衷。例如TRENCHSTOP™5系列产品针对不同的应用进行了通态损耗和开关损耗的优化。其中H5/F5适合高频应用，L5导通损耗最低。 四、IGBT下一个机遇点在哪里？ IGBT的未来机遇主要来自于新能源发电和储能的快速发展，随着“双碳”目标的提出，光伏、风电及电化学储能（光风储）的需求将持续增长，带动IGBT市场规模扩大。预计2025年全球光风储用IGBT市场规模将达到250亿元。 从技术上看，IGBT的未来发展方向主要包括以下四个方面： 1）碳化硅（SiC）基IGBT的应用，以突破硅基IGBT的性能极限； 2）更低的开关损耗、更高的电流密度以及更高的工作温度； 3）Trench沟槽型结构的优化，以提高电子注入效率和降低导通电阻； 4） 集成化、智能化、小型化的封装技术，以提高功率密度、集成度和智能度。 其中，第一个方向，面对特斯拉宣布在某些车型中对碳化硅的使用减少75%的情况，或将迎来大爆发：“碳化硅+IGBT”混合模块方案可能降低采用碳化硅的电驱系统成本，成为未来的潜在方案之一。该方案将原有的TPAK封装中部分碳化硅器件替换为IGBT，封装成混合模块。目前，已有海外实验室成功研发出FREEDM-PAIR混合模块，并证实可行性。汽车厂商若采用SiC MOSFET和IGBT的混合模块方案能够明显降低成本。 再者，从大环境而言，国内IGBT市场需求量远大于产量，主要依赖进口，市场主要被英飞凌、三菱、富士电机等国际巨头垄断。国内主要从事IGBT研发和生产的企业有斯达半导体、士兰微、比亚迪、中车株洲、时代电气等。其中，斯达半导体和中车株洲已经实现了第七代IGBT产品的研发和量产，分别在中低压和高压领域有较强的竞争力。 总之，国内IGBT产业在芯片设计、晶圆制造、模块封装等方面都已经具备了国产替代的基础，但仍然存在一定的技术差距和供应链制约。随着国家政策对IGBT产业给予了重点扶持和引导，同时下游新能源产业需求持续增长，为国内IGBT企业提供了巨大的市场空间和发展机遇，无疑对我们从业者而言也是巨大的职业发展机遇。

关注新能源车的朋友应该都知“IGBT”这个词，如果你去4S店买新能源车在谈到提车时间时，销售可能都会说由于芯片产能的不足，缺“芯片”导致整车的交付时间加长。这个“缺芯片”中也包含新能源汽车上必不可少IGBT。 受益于新能源汽车、新能源发电等需求推动，实际上，部分IDM厂在年中即公开表态，订单一路接满至2023年，虽难排除有部分客户可能是超额下单(overbooking)。IGBT是新能源汽车中的核心元器件，目前全球供应主要仍集中在国际整合元件厂(IDM)。机构认为，受益于国内新能源车的高速发展，新能源车IGBT在2020年已成为中国IGBT第一大应用领域，占比约30%。 今天主要从技术的角度，具体来聊聊IGBT吧。 相比于传统汽车，新能源汽车的生产需要用到的芯片可达到500-800个，有的甚至超过1000个不同类型的芯片。这远远超过了传统的燃油车。汽车的芯片种类主要包括主控芯MCU、存储芯片、传感器类器件、 IGBT功率类芯片 、其次是信号链类的通信芯片。 IGBT全称为 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor） ，可以等效看做是MOS管和三极管的结合体。 图片来源：华秋商城 回顾三极管和MOS的工作原理&特点： 01 先来了解下三极管 : 三极管属于电流控制型，通过在基极施加一个很小的电流，可以在集电极和发射极之间获得更大的电流通过。在电路中应用的最多的放大作用和开关作用。 图片来源：华秋商城 如上图所示，PNP三极管Q1在电路中属于开关作用，当开关KEY1按下时Q1的基极与电源GND导通，电流此时从Q1的集电极流向发射极，LED1被点亮。图中Q1是一个普通的三极管，Ice仅仅只有几百mA。驱动一个发光二极管是绰绰有余的。 在一些需要大电流的驱动场景就需要一个叫GTR（Giant Transistor）的三极管，GTR 是三极管的一种，属于巨型晶体管，由于可工作在高电压、高电流下，也称电力晶体管。GTR也是属于电流驱动型器件，导通后集电极和发射极之间的导通电阻非常小，载流密度非常大，可以做到很高的通路电流。 但是在大功率应用场景下时需要消耗较高的驱动电流，此时就要寻求新的突破点。 02 MOS管如何呢？ MOS管，又称为绝缘栅场效应管，注意几个词“绝缘”、“场效应”。这将是MOS与三极管最大的不同之处。 图片来源：华秋商城 MOS管从结构上主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层 二氧化硅绝缘层 ，因此具有很高的输入阻抗。这就是其名称中 “绝缘” 一词的由来。 由于绝缘层的存在，在栅极与源极之间加电压后，是通过电场的作用下吸引载流子形成导电沟道，所以工作原理可以理解为它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。所以这就是其名称中 “场效应” 的来源。 在一些高电压驱动场景中，需要高耐压的MOS，这样就要从构造上做调整，内部结构就要做的很厚，同时带来的新的问题就是导致导通电阻增大。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。 比如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。想要获得高阻断电压，就必须采用高电阻率的外延层，并且厚度增加。这就是高耐压MOS的导通电阻高的原因。 03 总结三极管和MOS管的优缺点： 三极管（特指GTR巨型晶体管） 优点：载流子多，导通电阻小； 缺点：电流控制方式，消耗较大的驱动电流； MOS（特指高压MOS） 优点：输入阻抗大，几乎不消耗驱动电流。 缺点：导通电阻大。 那么在一些高压大电流的驱动场景应该如何选择呢？对于合格高效的电路来讲，以上MOS管和三极管的任何一个的缺点都是不被允许的存在的，会大大影响电路的工作效率，同时会产生比较难克服的热量，影响整个产品的寿命。 IGBT的诞生 IGBT诞生了，如前面所讲，IGBT是由MOS管和三极管结合组成的，既然要结合，那么肯定要继承两者的优良基因。所以IGBT相较于三极管和MOS管的特点就是高耐压、大通路电流、低导通阻抗、不消耗驱动电流，非常适合大功率驱动场景。 如下图是IGBT构造示意图，相当于在MOS管的基础上再叠加一个三极管。通过PNP和NPN的组合构成了PNPN的排列，这样同时就实现如其名字的特点，“ 绝缘栅 ”和“ 双极性 ”。 图片来源：华秋商城 如下图所示，从它的等效电路图来看，当在栅极加正向电压后，MOS管导通，这样PNP三极管的集电极与基极形成低阻状态，此时三极管也就相继导通，这样相当于IGBT的集电极和发射极导通。当栅极电压取消或负压时，IGBT的集电极和发射极关断。这样IGBT就实现了MOS管的高输入阻抗和晶体管的低导通电阻特性，可以当做开关应用在大功率的驱动电路中。 图片来源：华秋商城 IGBT的应用 IGBT是能源变换与传输的核心器件，也被称为电力电子装置的“CPU”，主要应用在航空航天、轨道交通、智能电网、、电动汽车与新能源装备等领域。 如下是仙童半导体的FGH60N60SMD规格参数,主要应用在太阳能逆变器UPS，焊机等领域，可以看到耐压可以达到600V，Ice在常温下可以达到120A。 图片来源：华秋商城 新能源汽车为什么会用到IGBT呢？ 新能源汽车是通过电池驱动电机来给汽车提供动力输出的，所以存在交流市电给汽车电池充电和电池放电来驱动电机使汽车行驶的场景。这两个过程都是需要通过使用IGBT设计的电路来实现。 01 应用在充电桩 220V交流市电给电池充电时，需要通过IGBT设计的电源转换电路将交流电转变成直流电给电池充电，同时要把220V电压转换成适当的电压以上才能给电池组充电。 比如特斯拉的快充为高功率直流电充电，充电功率一般可达40kW以上，把电网的交流电转化成直流电，输送到汽车的快充口，电能直接进入电池充电。 02 应用在电机驱动 新能源汽车使用的是三相异步交流电机，电池的直流电是不能直接驱动电机转动的，电池放电驱动电机的时候，通过IGBT组成的电路，把直流电转变成交流电机使用的交流电，同时起到对交流电机的变频和变压的控制。 如下是直流电源利用IGBT的开关作用来驱动电机转动的简单示意图，控制器负责输出控制IGBT1~6的开启和关闭的信号，从而将电池的直流电转换为可驱动三相异步交流电机转动的交流电。 03 应用在车载空调 新能源汽车车载空调的工作原理与电动驱动相同，即通过逆变器将电池的直流电转换成交流电后，驱动空调压缩机电机进行工作。 04 逆变器 有些新能源车还配备了向外输出220V/50Hz交流的接口，这个过程是将电池的直流电通过逆变电路转换为交流电，这个过程中IGBT同样是不可或缺的器件。 ​ 结语 IGBT是功率半导体器件，可以说是电动车的的核心技术之一，IGBT的好坏直接影响电动车功率的释放速度。特斯拉Model X使用132个IGBT管，其中后电机为96个，前电机为36个IGBT约占电机驱动系统成本的一半，IGBT是除电池之外成本第二高的元件，也决定了整车的能源效率。

继2020年底完成2亿元A轮融资后， 功率半导体企业华瑞微于近期连续完成了B轮和B+轮3亿元融资 。此次参与的机构有 产业投资方芯朋微、活水资本、万联广生、政府产业基金及势能资本等，老股东毅达资本、浦高产投持续加持，势能资本连续担任独家财务顾问 。本轮融资将助力华瑞微积极推进功率器件国产化之路，加大在IGBT、SiC功率器件等方面的研发力度，加快提升产能，实现进一步发展。 华瑞微创建于2018年5月，是一家专注于功率器件产品的高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业，致力于提升我国中高端功率器件研发与制造的核心竞争力。核心团队均具有 15年以上 的行业相关经验，曾就职于英飞凌、华润微、紫光微电子等行业头部企业，在特色工艺方面有深厚积累。已形成丰富的高端功率器件产品矩阵，与多家上市公司和头部企业形成稳定的合作关系， 终端客户包括华为、小米、飞毛腿、美的、长虹等知名品牌 。在研发方面，团队里有国内首批开展功率器件研发和量产工作的技术骨干，专注于高端功率器件的研发。华瑞微一期建设的6英寸晶圆厂，得益于核心团队丰富的产线建设经验，仅用一年时间便达到了投产状态， 是国内建设速度最快的晶圆厂之一 。相比于半导体纯设计公司，自有晶圆厂模式可以 缩短产品研发周期、提升客户响应速度、降低成本，同时也有利于开发特色工艺，提升产品附加值，并且在产能紧缺的市场环境下保障芯片的供应 。未来，华瑞微将持续释放产能，为我国的功率半导体产业贡献自己的力量。 功率半导体是电能转换与电路控制的核心，消费电子、新能源汽车、工业智能等下游应用需求的持续旺盛，推动功率半导体市场规模的稳健增长。根据IHS的数据显示，2020年全球功率半导体市场规模达143亿美元；Yole 预测 2025年市场规模预计为225亿美元。 消费电子快充方案： 快充技术即通过提高电压来达到高电流高功率，为保证整体稳定性，需要加入同步整流的MOSFET器件进行降压。目前快充技术已经覆盖智能手机、平板电脑、笔记本电脑、显示器、新能源汽车、电动工具、IoT设备七大市场。预计2022年快充整体渗透率将达到21%，快速充电器市场规模将达到27.43亿美元。随着快充渗透率的持续提高，超结MOS等功率器件需求用量将进一步提升。 新能源汽车及充电桩： 功率半导体显著受益于汽车电动化趋势。新能源汽车中用于电能转换的功率半导体用量显著提升，单车价值量达到387美元，相比传统内燃汽车价值量提高了近5.5倍。IGBT及MOSFET为新能源汽车上主要应用的功率器件。IGBT能够耐高压、高频，在新能源汽车的应用以高压电能变换为主，也是直流充电桩的核心功率器件；高压MOSFET等开关器件是车载充电器（OBC）中DC-DC转换模块的核心功率器件，低压MOSFET则广泛应用于汽车上的各类低压用电器，在高端车型用量可达400个。未来随着新能源汽车的进一步渗透，车用MOSFET&IGBT市场空间有望超300亿元。充电桩也是功率器件的重要增长点，MOSFET是实现电能高效率转换、确保充电桩稳定不过热的关键器件，随着充电桩加速建设，对MOSFET的需求也将进一步提升。 工业自动化： 《中国制造2025》和工业4.0的不断推进，为工业功率半导体带来持续的增长动能。功率半导体在工业领域主要发挥着控制电压、电流和变频的作用，随着中国制造业的智能化和自动化，工业的生产制造、物流等流程改造对电机需求不断扩大，工业功率半导体作为功率半导体应用的基本盘，市场需求稳步增长。 变频家电： 未来持续稳定的更新需求成为提升变频家电销量的重要驱动力量。变频家电给IGBT、MOSFET提供稳定的市场需求。据英飞凌数据显示，变频家电单机功率半导体价值可达9.5欧元，相比非变频家电增长近13倍。受益家电变频化需求推动，全球家电相关功率半导体规模有望从2017年的26.45亿欧元增长至2022年的57.7亿欧元，年均复合增速达17%。 我国是全球最大的功率半导体消费国，占据全球约35%的功率半导体市场，2020年达到千亿人民币，规模增速快于全球。但我国功率半导体器件自给率较低，在器件的生产制造端存在较大供给缺口。当前，由于下游应用的快速增长以及制造业在全球后疫情时代的复苏，半导体处在长期短缺的状态，对下游各类终端产品的产能造成了一定影响，IDM模式厂商产能普遍吃紧，安森美、英飞凌、意法半导体等出货排期通常在12个月以上，预计产能紧张的情况将持续到2023年中期。在此期间，Fabless模式运行的中小型功率半导体厂商的盈利空间将会受到产能限制。 华瑞微前瞻性地布局6英寸晶圆厂的建设，有效填补半导体市场供给缺口。 该晶圆厂预计于今年12月正式投产，初期产能已基本被大客户预定， 未来的经营确定性极高。 华瑞微厂区实景 除了整体供给短缺以外，MOSFET、IGBT等产品具有较高技术门槛，目前市场主要被英飞凌、安森美、意法半导体、东芝等国际企业所主导，我国中高端功率MOS和IGBT自给率不足10%，全球产能吃紧的市场行情以及中美贸易摩擦进一步促进了功率器件供应链向国内迁移，国产替代空间广阔。 华瑞微目前在高压VDMOS、低压Trench MOS、超结MOS、SGT MOS等高端技术路线上已经具有上千种产品 ，覆盖低、中、高压范围，满足各领域需求，采用非尺寸依赖的特色工艺，能够快速开发适应于不同应用场景的定制化产品，同时在 IGBT 和第三代化合物半导体 SiC功率器件 方面也进行着积极的研发工作，预计未来产品将实现 消费级、工业级、车规级的全面覆盖 ，满足各行各业客户的多元需求，在新型以及高端半导体功率器件的国产替代进程中发挥重要作用。

　　【哔哥哔特导读】据官方财报透露，英飞凌2021财年营收额达到110.60亿欧元，预计2022财年营收达到127亿欧元(±5亿欧元)，同比增长15%左右。 　　11月11日，半导体大厂英飞凌科技股份公司(简称“英飞凌”)公布了2021财年全年(2020年10月1日至2021年9月30日)和第四季度的业绩，同时披露了2022财年第一季度与2022财年业绩展望。 　　数据显示，2021财年，英飞凌营收额达到110.60亿欧元，同比增长29%;总运营利润达到20.72亿欧元;总运营利润率为18.7%;自由现金流达到15.74亿欧元。 　　 　　其中英飞凌第四季度业绩创下新纪录，营收额达到30.07亿欧元，环比增长10%，同比增长21%;总运营利润达到6.16亿欧元;总运营利润率为20.5%;自由现金流达到3.78亿欧元。 　　综观2021财年全年，整个半导体行业面临疫情影响和芯片短缺问题，广泛蔓延到汽车、消费电子等领域。英飞凌作为汽车电子、功率半导体和安全IC的头部企业，在全球市场份额中占据着一定的主导地位。而从2021年财年业绩来看，英飞凌始终保持着强劲的市场增长与半导体产能供应能力。 　　英飞凌首席执行官Reinhard Ploss博士表示：“英飞凌以亮眼的第四季度业绩结束了2021财年。我们比以往任何时候都更强大，全年营收首次超过110亿欧元，同时盈利能力显著提升。我们的企业战略全面聚焦电气化和数字化两大重要趋势。我们已经处于行业领先地位，这将使我们能够凭借创新技术引领这两大领域的趋势。鉴于节能、互联的世界对半导体的需求持续高速增长，预计2022财年我们将保持强劲增长。我们正显著加大投资力度，以期抓住增长机会。我们将持续扩大硅以及碳化硅和氮化镓化合物半导体的产能。” 　　基于2022财年第一季度与2022财年的业绩展望，英飞凌官方表示，假设美元兑欧元汇率为1.20:1，英飞凌2022财年第一季度预计营收将达到30亿欧元左右。在此基础上，英飞凌总运营利润率预计为21%左右。而2022财年营收预计达到127亿欧元(±5亿欧元)，同比增长15%左右，盈利能力持续提升。如果营收增长为预测区间的中点，总运营利润率预计达到21%左右。 　　 　　据透露，投资方面，若将投资定义为购买财产、厂房和设备、购买其他无形资产和资本化开发成本的总和，那么英飞凌2022财年计划投资额约为24亿欧元。投资重点包括扩大前端制造能力，以使英飞凌在中期内持续满足预计增长的客户需求。 　　本文为哔哥哔特资讯原创文章，如需转载请在文前注明来源