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本页详细介绍ICC自带EEPROM操作函数的操作方法，包括单字符读写，数组读写，结构体读写。

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1. 
   
2. 地址10上的值被改写为“a”
   
   
3. temp1的值变为a，及读取了地址0x10的值a：
   
   
4. abcdefg写入20开始的地址：
   
   
5. temp2的变为地址20的值a：
   
   
6. 以0x20开始的值都读入buffer数组中：
   
   
7. 预定义的数组中的值写到EEPROM中：
   
   
8. 设置不保护EEPROM的值之后，停止调试再开始调试，EEPROM中的值改为0XFF：
   

• 
  
• EEPROMWriteBytes(0x10,&red_flag,sizeof(red_flag)); //将结构写入EEPROM
  
• EEPROMReadBytes(0x10,&red_flag,sizeof(red_flag)); //从EEPROM中将结构全部读出来
  
• 旗帜的结构为

AVR操作EEPROM应注意的问题

作为一个正式的系统或产品，当系统基本功能调试完成后，一旦进行现场测试阶段，请注意马上改写熔丝位的配置，启用AVR的电源检测（BOD）功能。

对于5V系统，设置BOD电平为4.0V；对于3V系统，设置BOD电平为2.7V。然后允许BOD检测。

这样，一旦AVR的供电电压低于BOD电平，AVR进入RESET（不执行程序了）。而当电源恢复到BOD电平以上，AVR才正式开始从头执行程序。保证了系统的可靠性！

原因分析如下：
AVR是宽电压工作的芯片，当电压跌至2.5V，系统程序还能工作。这是有2个可怕的现象可能出现，
1。外围芯片工作已经混乱，AVR读到的东西不正确，造成程序的执行发生逻辑错误（不是AVR本身的原因）。
2。当电源低到临界点，如2.4V时，并且在此互上互下的，AVR本身的程序执行也不正常，取指令、读数据都可能发生错误，或程序乱飞、不稳定（AVR本身的原因，实际任何的单片机都是这样的），非常容易造成EEPROM、FALSH的破坏。有人问51怎么不会？实际上51也是这样，只是51内部没有直接写EEPROM、FLASH的指令，它的程序乱飞留不下痕迹。还有人有疑问：外挂EEPROM，掉电时怎么不会改写？实际是外挂EEPROM，当电压低于4V（2.7V）时，它已经不工作了，程序去改内容也改不了。而AVR内部的东西在临界电压时都能工作，但非常不稳定。

AVR的BOD功能必须要使用，我早期使用51时，凡是产品外部都要使用电源监测芯片，现在AVR自己本身就有该功能，一定要使用。