在直流电源回路中,负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中,当电路从一个状态转换为另一种状态时,就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流,形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声,是电路板抄板的可靠性设计的一种常规做法,好的高频去耦电容可以去除高到1GHz的高频成分。陶瓷片电容或多层陶瓷电容的高频特性较好。设计pcb抄板时,每个集成电路的电源、地之间都要加一个去耦电容。去耦电容有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,提供和吸收该集成电路开门关门瞬间的充放电能;另一方面旁路掉该器件的高频噪声。去耦电容的配置原则如下:<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />
1 电源分配滤波电容
电源输入端跨接一个10μF~100μF的电解电容器,如果pcb抄板的位置允许,采用以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。1μF,10μF电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频率噪声的效果要好一些。在电源进入抄板的地方和一个1μF或10μF的去高频电容往往是有利的,即使是用电池供电的系统也需要这种电容。
2 芯片配置去耦电容
为每个集成电路芯片配置一个0.01μF的陶瓷电容器。数字电路中典型的去耦电容为0.1/μF的去耦电容有5nH分布电感,它的并行共振频率在7MHz左右,也就是说对于10MHz以下的噪声有较好的去耦作用,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。如遇到电路板抄板空间小而装不下时,可每4~10个芯片配置一个1μF~10μF钽电解电容器,这种器件的高频阻抗特别小,在500kHz~20MHz范围内阻抗小于1μF~10μF而且漏电流很小(0.5μA以下)。去耦电容值的选取并不严格,可按C=1/f计算,即10MHz取0.1μF。对微控制器构成的系统,取0.1μF~0.01μF之间都可以。
3 必要时加蓄放电容
每10片左右的集成电路要加一片充放电电容,或称为蓄放电容,电容大小可选10μF。通常使用的大电容为电解电容,但是在滤波频率比较高时,最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感,最好使用钽电容或聚碳酸酯电容。
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