整理了一下12V系统给电阻性传感器供电的问题，把分析过程整理如下。
电路设计一般为：

简单叙述计算方法，节点电压法+矩阵法：

按部就班的设计马上会发现问题：
在上拉电压和Vgoff变化的时候，整个 ADC值剧烈变化，如果软件不进行补偿精度，则整个采集无从进行：

因 此只能进行补偿，补偿的逻辑如下：

同时采集Vbatt和Vgoff的ADC值，通过软件推导公式的办法求解Ri。
这 里需要设计采集Vbatt的电路，采用最简单的分压即可：

采集Vgoff电路，需要一个上拉和分压电路，如图：

由 于软件自身不可能考虑误差，因此转化关系如下：

关 于上面的计算可总结如下：

由 于软件自身不可能考虑误差，因此转化关系如下：

精 度计算放在下一篇博客，实际上模拟电路的接口在模块间是非常少的，至少是不能随意的分地的，以上的Vgoff的问题其实可以人为的规避，就是采取模块引出 单独的地线给传感器使用。当然有些时候，我们并不是接传感器，而是组合开关，这就更重要了。

在补偿过程中，我们使用了不同的采集通道，导致很多附加的误差因素出现了。
  采集本身的误差因素：

 1.上拉电阻误差
    初始误差1%，老化实验等累加后，厚膜贴片电阻可达+/-2.8%
 2.分压电阻1误差（Rvd1）
    初始误差1%，老化实验等累加后，厚膜贴片电阻可达+/-2.8%
 3.分压电阻2误差（Rvd2）
    初始误差1%，老化实验等累加后，厚膜贴片电阻可达+/-2.8%
 4.单片机泄漏电流
    一般为+/-1uA，这个电流在分压电阻较大的时候变得越来越严重。
 5.AD的参考电压
    一般的LDO的精度为+/-2%，采用额外的稳压管可提高电源稳定性。
 6.单片机比特误差
    量化误差，积分非线性，差分非线性等总和，单片机集成的AD的误差一般为+/-3bit全温度范围内。
 地偏移误差：被补偿，引入新的误差。

 1.分压电阻7误差（Rvd7）
    初始误差1%，老化实验等累加后，厚膜贴片电阻可达+/-2.8%
 2.分压电阻8误差（Rvd8）
    初始误差1%，老化实验等累加后，厚膜贴片电阻可达+/-2.8%
 3.单片机泄漏电流（由于通道独立，因此每个通道的参数独立）
    一般为+/-1uA，这个电流在分压电阻较大的时候变得越来越严重。
 4.AD的参考电压（此参数整个采集中都选取同一个）
    一般的LDO的精度为+/-2%，采用额外的稳压管可提高电源稳定性。
 5.单片机比特误差（由于通道独立，因此每个通道的参数独立）
    量化误差，积分非线性，差分非线性等总和，单片机集成的AD的误差一般为+/-3bit全温度范围内。
 电压误差：被补偿，引入新的误 差。

 1.分压电阻5误差（Rvd5）
    初始误差1%，老化实验等累加后，厚膜贴片电阻可达+/-2.8%
 2.分压电阻6误差（Rvd6）
    初始误差1%，老化实验等累加后，厚膜贴片电阻可达+/-2.8%
 3.单片机泄漏电流（由于通道独立，因此每个通道的参数独立）
    一般为+/-1uA，这个电流在分压电阻较大的时候变得越来越严重。
 4.AD的参考电压（此参数整个采集中都选取同一个）
    一般的LDO的精度为+/-2%，采用额外的稳压管可提高电源稳定性。
 5.单片机比特误差（由于通道独立，因此每个通道的参数独立）
    量化误差，积分非线性，差分非线性等总和，单片机集成的AD的误差一般为+/-3bit全温度范围内。
  因此实际上Vth的公式为：

 此公式是单片机把Rout转化成ADC的式子，也可以看作ADC==> Rout的变换式子。
 由此我们发现了问题和误差所在了
 一部分自身通道误差，在将Rout==>ADC的时候引入了，软件在补偿 Vbatt和Vgoff的时候，又把另外一部分误差因素引入进去了。
 最大电压和最大低偏移如图所示：

 最小电压和最小低偏移如图所示：

因此可知，如果软件不跟随Vbatt和Vgoff的变化去补偿，整个采集将变得毫 无意义，误差可能达到100%甚至更多。补偿所引入的误差也是不小的，但是经过补偿，至少可以做简单的区分了，组合开关的检测一般都基于这种方法。
提 高精度的几条建议：
1.采用模拟开关使用同一个通道采集，尽可能减少通道误差。
2.在系统上尽量采用同一个地，单独从模块拉线给传感器或者系统供电。
3. 采用高精度稳压管供给AD的参考源。
4.EOL的时候进行校验，校验掉初始电阻误差。
5.分压电阻选取不能超过200K，防止单片机的漏 电流误差过大。
附注：以上没有提及单片机的计算精度，实际上这也有一定的误差。