原创 Power Mosfet 应用指南（带附件）

在瑞萨的网站上找到一份应用指南，关于Power Mosfet的。

引用 Ford的电子设计检查有详细的问题检查，有空我会就这些东西做一些整理工作。就此做个预告吧。

检查设计中最大的可能出现的栅极电压Vgs，与器件允许承受的电压作比较。通常有些FETS在栅极可能有齐纳管来防止静电，但是并不能对干扰脉冲进行钳位。

注意漏源级电压击穿电压，这是器件非常重要的一个参数。

驱动负载的时候有没有设计电流门限，防止过热。如果设计了电流门限，负载会不会出现in-rush电流（灯泡，电机，容性负载）超过电流门限的情况？在这种条件下，器件会不会出现热功率过载的情况。

有没有考虑过输出的上升速度？驱动以PWM的输出，是否考虑了开关功耗。

有没有使用多个器件并联来处理功率问题？是否有解耦电阻在每个器件的栅极，要注意器件在边沿暂态过程中可能会出现高频振铃现象。

保护器件需要考虑的问题：

是否考虑了器件保护的策略?

器件如何避免静电的威胁？

器件如何防止反接电源时候出现的问题？FETs 内部源漏极之间有寄生二极管，在反接电源时候出现寄生二级管导通的情况，这时候发热问题要比正向导通严重许多。

如果采用接地串联电阻的方法，电阻上的功率可能达到1瓦甚至更多。

有没有在栅极和源极之间加上电阻，值是如何选取的？

输出脉冲是否可以耦合到控制端？是否采取了足够的电流门限来保证器件不会在这种情况下锁定工作状态。

负载是不是感性负载？如何保护器件，器件是否可以吸收这部分能量（电感存储的）？

如果采用集成芯片的话，考虑如果栅极电压相对源极电压为负电压的情况下，器件是否是失去控制，这种情况出现在栅极没电压控制，源端又被短接到电源。Can ion迁移会导致栅极电压门限的变化，这样会使器件在关断状态下部分导通。

非常可惜，似乎在硬件这个领域，有的只是应用指南和计算方法，没有一丁点的原创，最近公司没有什么实际的项目，天天埋头于文档工作，也就没有什么测试和调试经验可言，整理些资料文档聊以自慰。

不好意思，竟然太大了，压缩分卷后放入。
http://space.ednchina.com/upload/2009/9/1/8e94d42c-3aee-4955-9982-6963796c8204.rar