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原创扇入扇出系数之分析

 2010-5-28 16:57  3801 33 38 分类: 消费电子

扇入扇出系数之分析
<a href="http://forum.eet-cn.com/BLOG_ARTICLE_4078.HTM">单片机 IO口的驱动能力</a> 这是我曾经写过的文章，不过我最近在考虑一个事情。我们可以从书中找出这样一个描述： 扇入系数，是指门电路允许的输入端数目。 一般TTL 电路的扇入系数 Nr为1～5，最多不超过8。若芯片输入端数多于实际要求的数目，可将芯片多余输入端接高电平(+5V)或接低电平(GND)。 扇出系数，是指一个门的输出端所驱动同类型门的个数，或称负载能力。 NO=IOLMAX/IILMAX，这是一个通俗的定义一般用在TTL电路的定义中。其中IOLMAX为最大允许灌电流，IILMAX是一个负载门灌入本级的电流。 TTL电路的扇出系数Nc为8～10。 CMOS电路的扇出系数Nc可达20～25。 当然LVTTL和LVCMOS都可进一步验算获得。 Nc表征了门电路的负载能力。 这个是通常的说法，我接下来找些数据来验证以及提出我个人的一些看法。 1.TTL電路 TTL 的验算是比较好弄的，TTL与TTL之间如下图所示：
 
<div><a href="https://static.mianbaoban-assets.eet-china.com/forum-images/EECOL/EEF/IMAGES/SITE/attachments/201005/8946397892_TIME_1275036783400.jpg"><img src="https://static.mianbaoban-assets.eet-china.com/forum-images/EECOL/EEF/IMAGES/SITE/attachments/201005/8946397892_TIME_1275036783400.jpg" border="0" alt="1.jpg" width="450" height="254" /></a></div>
 
 由于本身晶体管的转换速度有限，因此对于TTL来说，扇入扇出系数无所谓低频和高频而言。 2.CMOS
CMOS由不静态功耗较少，因此我们的扇出系数实质上是根据频率有关的。
<div><a href="https://static.mianbaoban-assets.eet-china.com/forum-images/EECOL/EEF/IMAGES/SITE/attachments/201005/8946397892_TIME_1275036815799.jpg"><img src="https://static.mianbaoban-assets.eet-china.com/forum-images/EECOL/EEF/IMAGES/SITE/attachments/201005/8946397892_TIME_1275036815799.jpg" border="0" alt="2.jpg" width="450" height="442" /></a></div>
 
因此，扇出系数是根据输出波形识别的时序而定的，随着频率的增加，扇出系数越来越小。 这是因为理论上来说Rdson和Ci都是确定的，根据充放电过程 注意Rdson的能力计算可参考前面的博文 
<div><a href="https://static.mianbaoban-assets.eet-china.com/forum-images/EECOL/EEF/IMAGES/SITE/attachments/201005/8946397892_TIME_1275037007212.jpg"><img src="https://static.mianbaoban-assets.eet-china.com/forum-images/EECOL/EEF/IMAGES/SITE/attachments/201005/8946397892_TIME_1275037007212.jpg" border="0" alt="3.jpg" width="387" height="600" /></a></div>
 
通过计算时间常数，我们可测算: 1.10%=>90%的时间，并确认高电平的时间。 2.90%=>10%的时间，并确认低电平的时间。 如果这两个都符合，则可接受。 当然MOS管的输出电容和PCB板的寄生电感和电容，这些因素都会影响实际的效果。 我在以前一般计算静态的输出能力较多，不过按照输出频率的能力则需要进行校验了。在汽车电子中，如果有高速CAN和高速SPI口，则需要注意高速口的充放电电流。 这是因为，我们需要同时确认所有逻辑电源的静态电流，也需要计算逻辑电源上的瞬时电流，这些电流主要是集中与这些高速IO口的充放电电流，如果不注意，则很容易对LDO造成负荷。 当然这点也是一点点想到的，上次Fairchild有个高级经理聊到MOS管的一个案例： 在一定工作状态下的MOS管，随着时间的推移自身逐渐老化，其电压上升和下降率随慢慢下降，也就是边沿不够陡，使得开关功耗大大增加，慢慢使得产品出现热损坏。这个现象确实被证实了，我们的电子模块经过三温三压实验以后，明显比之前的响应速度明显降低。 我们在DATASHEET上的数据，要么是常温下做的，要么是么有经过老化的，有时候觉得按照DATASHEET做设计也是冒很大的风险的。

ttl电路扇入系数

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文章评论（5条评论）

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用户1110542 2011-4-23 09:33

好资料！

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用户1602177 2011-4-22 12:24

图片那个多啊~~

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用户1322273 2010-7-3 16:25

请问什么是三温三压试验，谢谢。

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用户1371162 2010-6-11 09:27

请问以datasheet中的数据做设计做多少降额？谢谢！

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用户1104458 2010-6-9 17:11

不要用到极限，保险一些。

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用户1295533 2010-6-8 21:55

灵活参照datasheet、App note确实很有学问，得其道而入不但事半功倍，兼有快畅得意之洋洋可恨太多器件在网上搜不到充分资料

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用户1277994 2010-6-7 13:47

有人点“我喜欢”，但没有人评论。我来抢个博主沙发吧。

回复

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