JFET：半导体器件的老古董，低噪声的极佳选择，经历半个多世
纪的风雨依然青春长在。
MOSFET：适合现代主流CMOS制造工艺，噪声和直流工作点关
系很大，为了低噪声必须大电流。
BJT：噪声主要由基区等效串联电阻Rb决定。低噪声必须大尺
寸以减小Rb，尺寸大频率特性下降。
IC设计没有最好的选择，只有最佳的折中。
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