标签: 低噪声ic设计

JFET：半导体器件的老古董，低噪声的极佳选择，经历半个多世               纪的风雨依然青春 长在。   MOSFET：适合现代主流CMOS制造工艺，噪声和直流工作点关                      系很大，为了低噪声 必须大电流。   BJT：噪声主要由基区等效串联电阻Rb决定。低噪声必须大尺           寸以减小Rb，尺寸大频率特性下降。   IC设计没有最好的选择，只有最佳的折中。