DC/DC高效率大功率升压变换芯片
一、 概述
VT1050系列芯片是采用CMOS工艺制造的静态电流极低的VFM开关型DC/DC升压转换器。
该芯片由振荡器、VFM模式控制电路、PWM开关驱动管、DRV开关驱动,基准电压单元、误差比较放大器、电压采样电阻及VLX限幅电路等组成。
VT1050 系列升压转换器采用变频的方式，因此较国内外同类产品具有更低的纹波、更强的驱动能力、效率高等特点，应用时外围只需接四个元件(电感、电容及二极管.YA2042场效应管各一个)。输入电压最低0.8V, 0.8V--5V
二、 芯片特性及主要参数
该设计产品 VT系列 DC/DC升压转换器芯片在应用中具有优越的性能：
1. 外接元件少：
需肖特基管、电感及电容各一个；外接元件建议选择: 低直流电阻电感12～68μH，
钽电容47～220μF，肖特基二极管。
钽电容47～220μF，肖特基二极管。
2. 极低的静态电流： 4uA, TG低电平IC睡眠
3. 低噪声及低纹波： 纹波典型值为50mV
4. 驱动能力强： Vtyp=5.0V, Vin=1.0V 时，Iout=300mA
Vtyp=5.0V, Vin=2.2V 时，Iout=720mA
5. 启动工作电压低：最大 0.8V
6. 高效率： 85%(Typ)
7. 封装体积小： SOT23-5（窄体）
三、 应用范围
VT系列芯片适用于要求大驱动能力、低静态电流、低电磁辐射的电池供电设备：
1、电池供电设备的电源部分。
2、玩具、照相机、摄像机、PDA及手持电话等便携式设备的电源部分。
2、玩具、照相机、摄像机、PDA及手持电话等便携式设备的电源部分。
3、要求提供电压比电池所能提供电压高的设备的电源部分。
四、 VT1050 应用原理: 输入电压1V至5V 范围、输出5.0V稳定电压
K闭合启动升压,K断开IC睡眠
C1用钽电容大于10UF
设计PCB时C1尽量靠近VOUT脚.电感内阻应尽量小,铜线尽量粗,或用多线并绕效率会更高.GND脚应大面积布铜层.C2容量应大于220uF越大越好. 焊接时电烙铁应接地.
VT1050芯片设计时是依据 YA2042场效应管特性而设计的,所以推荐用
五. SOT-23-5,SOT-23-3芯片模型及引脚介绍
VT1050 <SOT23-5>
YA2042 <SOT23-3>
六、 电性能参数
其主要参数测试如下表：
七.使用注意事项
外围电路对VT 系列升压转换芯片性能影响很大，需合理选择外部器件：
1) 外接电容值不宜小于220μF（电容值过小将导致输出纹波过大），同时要有良好的频率特性（最好使用钽电容或高频电容）。此外，由于SW开关驱动管关断时会产生一尖峰电压，电容的容压值至少为设计输出电压的3倍；（普通的铝电解电容ESR值过高,所以可选购专门应用于开关式DC/DC转换器的铝电解电容）。
2) 外接电感值要足够小以便即使在最低输入电压和最短的LX 开关时间内能够存储足够的能量，同时，电感值又要足够大从而防止在最高输入电压和最长的SW开关时间时ILXMAX 超出最大额定值。
此外，外接电感的直流阻抗要小、容流值要高且工作时不至于达到磁饱和。
3) 外接二极管宜选择具有较高切换速度的肖特基二极管。
4) 客户若驱动大电流负载（大于200mA），而纹波要求不高，则可以减小电感（12uH左右）；客户若驱动小电流负载(小于100mA)并想得到低纹波的输出电压，则可增大电感值 68UH
注意事项：
1) 该芯片为驱动大负载而设计，所以外围元器件与芯片距离越小越好，连线越短越好。特别是接到VOUT端的元器件应尽量减短与电容的连线长度；
2）特别建议使用钽电容；如果在芯片VOUT和Vss两端并接电解电容时需要并接0.1-1μ的陶瓷电容。
3) Vss端应充分接地，否则芯片内部的零电位会随开关电流而变化，造成工作状态不稳定。
4> 焊接时电烙铁应接地. 焊接最好测一下电烙铁
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