原创半导体行业术语

 2007-4-24 21:57  2809 3 3 分类: 工程师职场

71 FOUNDRY 客户委托加工客户委托加工主要是接受客户委托，生产客户自有权利的产品，也就是客户提供光罩，由SMIC来生产制造，在将成品出售给客户，指收取代工过程费用，这种纯粹代工，不涉及销售的方式在国际间较通常的称呼就是硅代工（Silicon Foundry）。
　　72 FOUR POINT PROBE 四点侦测 ·是量测芯片片阻值（Sheet Resistance）RS的仪器。·原理如下：有ABCD四针，A、D间通以电流I，B、C两针量取电压差（△V），则RS=K. △V/I K是常数比例和机台及针尖距离有关
　　73 F/S（FINESONIC CLEAN）超音波清洗超音波清洗的主要目的是用来去除附着在芯片表面的灰尘，其反应机构有二：1. 化学作用：利用SC-1中的NH4OH，H2O2与Silicon表面反应，将灰尘剥除。2. 2.物理作用：利用频率800KHz，功率450W×2的超音波震荡去除灰尘。
　　74 FTIR 傅氏转换红外线光谱分析仪 FTIR乃利用红外线光谱经傅利叶转换进而分析杂质浓度的光谱分析仪器。目的：·已发展成熟，可Routine应用者，计有： A.BPSG/PSG之含磷、含硼量预测。 B.芯片之含氧、含碳量预测。 C.磊晶之厚度量测。·发展中需进一步Setup者有： A.氮化硅中氢含量预测。 B.复晶硅中含氧量预测。 C.光阻特性分析。FTIR为一极便利之分析仪器，STD的建立为整个量测之重点，由于其中多利用光学原理、芯片状况（i.e.晶背处理状况）对量测结果影响至钜。
　　75 FTY（FINAL TEST YIELD）在晶圆出厂后，必须经过包装及T1（断/短路测试），Burn -in（烧结），T3（高温功能测试），T4（低温功能测试），QA测试，方能销售、出货至客户手中。在这段漫长而繁杂的测试过程中，吾人定义Final Test Yield 为：T1 Yield* Burn –in Yield*T3 Yield*T4 Yield
　　76 FUKE DEFECT 成因为硅化物之氧化，尤其是以水蒸气去致密化PBSG时会发生，造成闸极（Poly Gate）与金属间的短路。硅化物之氧化可分为二类型：（以TiSi2）1. 热力学观点SiO2是最稳定，故Si 扩散至TiSi2之表面时会与水反应成SiO2而非TiO2。2. 动力学观点而言，当Si不足时则会形成TiO2而将TiSi2分解。
　　77 GATE OXIDE 闸极氧化层 GATE OXIDE是MOSFET（金氧半场效晶体管）中相当重要的闸极之下的氧化层。此氧化层厚度较薄，且品质要求也较严格。
　　78 GATE VALVE 闸阀用来控制气体压力之控制装置。通常闸阀开启越大，气体于反应室内呈现之压力较低；反之，开启越小，压力较高。
　　79 GEC（GOOD ELECTRICAL CHIP）优良电器特性芯片能够合于规格书（Data Book）上所定义电器特性的芯片。这些芯片才能被送往芯片包装工厂制成成品销售给客户。

80 GETTERING 吸附 “Gettering”系于半导体制程中，由于可能受到晶格缺陷（Crystal Defect）或金属类杂质污染等之影响，造成组件接口之间可能有漏电流（Junction Leakage）存在，而影响组件特性；如何将这些晶格缺陷、金属杂质摒除解决的种种技术上作法，就叫做 ”Gettering”吸附。吸附一般又可分 “内部的吸附”---Intrinsic Gettering 及 “外部的吸附”---Extrinsic Gettering。前者系在下线制造之前先利用特殊高温步骤让晶圆表面的「晶格缺陷或含氧量」尽量降低。后者系利用外在方法如：晶背伤言、磷化物（POCl3）预置ETC将晶圆表面的缺陷及杂质等尽量吸附到晶圆背面。两者均可有效改善上述问题。
　　81 G-LINE G-光线 G-line系指一种光波的波长，多系水银灯所发出之光波波长之一，其波长为436nm。G-line之光源，最常作为Stepper所用之水银灯，本来系由许多不同之波长的光组成，利用一些Mirror和Filter反射、过滤的结果，会将其它波长之光过滤掉，仅余G-line作为曝光用。使用单一波长作为曝光光源可以得到较佳的能量控制和解吸力，但由于其为单色波故产生之驻波效应（Standing Wave）对光阻图案产生很大的影响。在选择最佳光阻厚度，以府合驻波效应，成为G-line Standing最要的工作之一。
　　82 GLOBAL ALIGNMENT 整片性对准与计算 Global Alignment系指整片芯片在曝光前，先作整片性之对准与计算，然后接着可做整片芯片之曝光。·GLOBAL ALIGNMENT分为两种：1普通的Global Alignment：每片芯片共对准左右两点。2 Advance Global Alignment：每片芯片对准预先设定好之指定数个Field的对准键，连续对准完毕并晶计算机计算后，才整片曝光。
　　83 GOI（GATE OXIDE INTEGRITY）闸极氧化层完整性半导体组件中，闸极氧化层的完整与否关系着电容上电荷的存放能力，故需设计一适当流程，其主要目的在侧闸极氧化层之崩溃电压（breakdown voltage）、有效氧化层厚度等，以仿真闸极氧化层的品质及可信赖度，通常即以此崩溃电压值表示GOI的优劣程度。
　　84 GRAIN SIZE 颗粒大小一种晶体材料形成后，从微观的角度来看，材料都是一大堆颗粒垒叠在一起而成。这些颗粒有大有小，尺寸不一。而且材料的特性也会因为颗粒大小而变化，故常要注意其大小变化。
　　85 GRR STUDY（GAUGE REPEATABILITY AND REPRODUUCIBILITY）测量仪器重复性与再现性之研究将良策仪器的重复性—一其本身的变异，再现性—操作人本身的变异，用统计的方法算出，以判断量测仪器是否符合制程参数控制之需要。
　　86 H2SO4 硫酸 Suifuric Acid硫酸，为目前最广泛使用的工业化学品。强力腐蚀性、浓稠、油状液体，依纯度不同，由无色至暗棕色，与水以各种不同比例互溶，甚具活性。溶解大部分的金属。浓硫酸具氧化、脱水、磺化大部分的有机化合物，常常引起焦黑。比重1.84，沸点315℃。与水混合时需格外小心，由于放热引起爆炸性的溅泼，永远是将酸加到水中，而非加水至酸中。不小心被溅到，用大量水冲洗。目前在线上，主要用于SO清洗及光阻去除。
　　87 H3PO4 磷酸 PHOSPHORIC ACID 磷酸无色无谓起泡液体或透明晶形固体。依温度、浓度而定。在20℃50﹪及75﹪强度为易流动液体，85﹪为似糖浆，100﹪酸为晶体。比重1.834，熔点42.35℃。在213℃失去Y2 H2O，形成焦磷酸。溶于水、乙醚，能腐蚀铁及合金。对皮肤、眼睛有刺激性，不小心溅到，可用水冲洗。目前磷酸用于SI3N4的去除，浓度是85﹪，沸点156℃，SI3N4与SIO2的蚀刻比约为30：1。
　　88 HCL 氯化氢（盐酸） Hydrochloric Acid盐酸，为无色或淡黄色，发烟，刺激性液体。氯化氢的水溶液。盐酸是一种强烈酸性及高腐蚀性酸。市面出售之”浓”或发烟酸含有氯化氢38%，比重1.19。氯化氢溶解在水中有各种不同的浓度。可溶于水、酒精、苯、不可燃。用途广泛。可用于食品加工、金属之酸洗与清洁、工业酸化、一般之清洗、实验试药。不小心被溅到，用大量水冲洗。目前线上，主要用于RCA清洗。
　　89 HEPA 高效率过滤器 HEPA（High Efficiency Particulate Air Filter）为洁净室内用以滤去微粒之装置，一般以玻璃纤维制成，可将0.1μm 或0.3μm以上之微粒滤去99.97﹪，压力损失约12.5㎜H2O。层流台能保持Class100以下之洁净度，即靠HEPA达成。目前除层流台使用HEPA外，其它如烤箱、旋转机，为了达到控制Particle的效果，也都装有HEPA之设计。
　　90 HILLOCK 凸起物金属溅镀后为使金属与硅基（Si-Substrate）有良好的欧姆式接触需先经融合过程，在融合过程中因铝与硅的热膨胀系数不同（铝将会膨胀较快），而造成部分的铝无法向外扩张只得向上膨胀造成小山丘状的 ”凸起物”--Hillock。
　　91 HMDS HMDS蒸镀 HMD原为化学药品HexaMethylDiSilazane的缩写，在此则是指芯片在上光阻前的一个预先处理步骤。HMDS蒸镀就是利用惰性气体（例如氮气）带着HMDS的蒸汽通过芯片表面，而在芯片表面形成一层薄膜。其目的在于：A.消除芯片表面的微量水分。B.防止空气中的水汽再次吸附于晶面C.增加光阻剂（尤其是正光阻）对于晶面的附着能力，进而减少在尔后之显影过程中产生掀起，或是在蚀刻时产生了”Undercutting”的现象。目前在规范中规定于HMDS蒸镀完4小时内需上光阻以确保其功能。
　　92 HNO3 硝酸 NITRIC ACID硝酸透明、无色或微黄色、发烟、易吸湿之腐蚀性液体，能腐蚀大部分金属。歧黄色是由于曝光所产生之二氧化氮，为强氧化剂，可与水混合，沸点78℃，比重1.504。IC产业中硝酸用于清洗炉管，但对皮肤有腐蚀性，为强氧化剂，与有机物接触有起火危险。清洗炉管用。
　　93 HOT ELECTRON EFFECT 热电子效应在VLST的时代，Short Channel Devices势在必行，而目前一般Circuit 应用上又未打算更改Supply Voltage；如此一来，VG=VD S=5V情况下，将造成Impact Ionization（撞击游离化）现象发生于Drain邻近区域。伴随而生之Electron-Hole pairs（电子电洞对），绝大部分经由Drain（Electrons）or Sub.（Holes）导流掉。但基于统计观点，总会有少部分Electrons（i.e. Hot-Electrons）所具Energy，足以克服Si-SiO2之Barrier Height（能障），而射入SiO2且深陷（Trap）其中。另亦有可能在Hot-Electrons射入过程中打断Si-H键结，而形成Interface Trap 于Si-SiO2接口。不论遵循上述二者之任一，均将导致NMOS Performance的退化（Degradation）现象。
　　94 I-LINE STEPPER I-LINE步进对准曝光机当光罩与芯片对准后，利用365nm之波长为光源，将预坐在光罩上图形以M：1之比例，一步一步的重复曝光至芯片上之机器。
　　95 IMPURITY 杂质纯粹的硅市金刚石结构，在室温下不易导电。这时如加一些B11或As 7 5取代硅的位置，就会产生“电洞”或“载子”，加以偏压后就可轻易导电。加入的东西即称为杂质。
　　96 INTEGRATED CIRCUIT（IC）集成电路集成电路是一九五八年由美国德州仪器公司所发明的。他是将一个完整的电子电路处理在一块小小的硅芯片上，然后再以金属联机与外在引线相接，外加陶瓷或塑料包装的装置，由于它能将原本需要许多零件的电子电路集中缩小，因此被称为集成电路。它具备优于传统电子电路的三个特性：体积小、廉价、可靠。依照其集积化的程度可区分为小型（SSI）、中型（MSI）、大型（LSI）、超大型（VLSI）集成电路。
　　97 ION IMPLANTER 离子植入机在IC制程中有时需要精确地控制杂质的浓度及深度，此时即不宜由扩散之方式为之，故以”离子植入机”解离特定气体后调整离子束电流（Beam Current），计算电流X时间得到所植入杂质的浓度并利用加速电压控制植入的深度。
　　98 ION IMPLANTATION 离子植入 1. 由于加速器集真空技术的发展，离子布植机成为本世纪高科技产品之一，取代了早先的预置制程。2. 其好处有：2-1可精确控制剂量。2-2在真空下操作，可免除杂质污染。2-3可精确控制植入的深度。2-4是一种低温的制程。2-5 只要能游离，任何离子皆可植入
　　99 ISOTROPIC ETCHING 等向性蚀刻在蚀刻反应中，除了纵向反应发生外，横向反应亦同时发生，此总蚀刻即称之为等向性蚀刻。一般化学湿蚀刻多发生此种现象。干式蚀刻，其实刻后的横截面具有异向性蚀刻特性（Anisotropic），即可得到较陡的图形。
　　100 ITY（INTEGRATED TEST YIELD）为界定产品从wafer fab至组装、测试所有流程的良率，其定义为：INTEGRATED TEST YIELD=Wafer Yield*MPY*ATYNote：MPY:Multi-Probe Yield ATY:Assembly Test Yield
　　101 LATCH UP 栓锁效应当VLSI线路密度增加，Latch-Up之故障模式于MOS VLSI中将愈来愈严重，且仅发生于 CMOS电路，所有COMS电路西寄生晶体管所引起的LATCH-UP问题称之为SCR (SILICON-CONYROLLED RECTIFIER）LATCH-UP，在S1基体内CMOS中形成两个双截子晶体管P-N-P-N形式的路径，有如一个垂直的P+-N-P与一个水平N+-P-N晶体管组合形成于CMOS反向器，如果电压降过大或受到外界电压、电流或光的触发时，将造成两个晶体管互相导过而短路，严重的话将使IC烧毁，故设计CMOS路防止LATCH-UP的发生是当前IC界最重要的课题。
　　102 LAYOUT 布局此名词用在IC设计时，是指将设计者根据客户需求所设计之线路，经由CAD（计算机辅助设计），转换成实际制作IC时，所需要之光罩布局，以便去制作光罩。因此此一布局工作，关系到光罩制作出后是和原设计者之要求符何，因此必须根据一定之规则，好比一场游戏一样，必须循一定之规则，才能顺利完成，而布局完成后之图形便是IC工厂制作时所看到的光罩图形。

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