原创 也学CN购买菜刀实名制才好！美帝竟然如此惧怕CN

2016.1月下旬，美国外商投资委员会否决了中国投资者以29亿收购飞利浦旗下子公司的照明业务的提议。

2016.2.17日凌晨，美国仙童半导体公司(FairchildSemiconductor)表示，已拒绝了中国华润集团旗下华润微电子有限公司和清芯华创投资管理有限公司联合提出的收购要约，原因是担心美国监管机构可能以担忧国家安全为由拒绝批准交易。

在这背后，美国政府要阻止的并非中国投资人所收购的业务本身，而是要阻止中国投资人通过收购半导体的相关技术。

　　半导体材料发展至今已历三代：第一代半导体材料以锗和硅为代表，被广泛运用于集成电路制造领域;第二代半导体材料以砷化镓、磷化铟为代表，主要应用于以光发射器件为基础的光显示、光通信和光存储等光电子系统;第三代半导体材料则以氮化镓、碳化硅、金刚石为代表，具有具有宽的带隙、强的原子键、高的热导率、高熔点(1700摄氏度)、耐腐蚀等优点。特别是在传统材料的功率器件发展到材料极限，已经很难满足高频、高温、高功率、高效能、小型化等方面新需求的情况下，氮化镓则可凭借其材料特性，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面取而代之。

　　也正是因此，诸多国家和企业纷纷致力于氮化镓功率器件的研发和生产。可以说，氮化镓已经全球半导体研究的前沿和热点。

　　由于氮化镓的优异材料特性——氮化镓基LED比传统LED外形更小、功率更高、发光度更强，使其在LED电视、显示器和普通照明领域获得大展拳脚的空间，而中国一旦完成对飞利浦旗下子公司Lumileds的控股，则有可能获得氮化镓方面的相关技术。

　　更关键的是，氮化镓在高频大功率应用方面，其功率密度是现有的砷化镓材料器件的10倍，不仅可以广泛运用于通信基站、电动机车、电动汽车、风力发电等民用领域，还可以用于相控阵雷达等特殊领域。

　　而在国内，市场空间更大的第三代宽禁带半导体技术也逐渐开始成为LED芯片企业的下一个竞夺空间。

　　晶电研发中心副总经理谢明勋表示，照明应用市场庞大需求所带来高营收景况其实只是假象，实情是，近年价格战使得利润锐减。为寻求更好的利润，晶电目前正积极准备投入氮化镓LED功率元件市场;目前氮化镓功率元件市场规模大约只有整体照明市场三分之一。

　　三安光电近年来也开始在第三代半导体材料领域频频发力。

　　招商证券研究员鄢凡认为，三安光电将砷化镓和氮化镓等III-V 族半导体为核心打造集成电路产业,增发预案拟建年产30万片GaAs 和年产6万片GaN6寸生产线。目前三安5000片/月的GaAs 一期已经开始试产,预计明年中量产,GaN 产线设备亦在逐步到位。　　“三安的发展战略非常明确,主要布局三个方向:首先是继续巩固LED芯片龙头地位,扩产能、优化产品结构;其次是化合物半导体从加工制造开始,逐步向IDM发展;第三是积极拓展产品的应用领域,开发高附加值的应用产品,如LED智能照明通讯(LiFi)产品、车联网系统产品、光电智能监控产品等各种集成电路应用。”国联证券研究员牧原表示。

此外，硅衬底上氮化镓功率器件也是很重要的一个应用领域，有望超越传统的功率器件开拓出一个新的应用领域。

中国半导体经过30年的沉淀，是否可以弯道超车，我们拭目以待！