原创 拓墣：08年台湾半导体产业表现将优于全球

拓墣产业研究所(TopologyResearchInstitute)发表全球半导体产业调查报告指出，预计2008年全球半导体总产值将达2,752亿美元，年增长率将由2007年的2.87%大幅攀升至2008年的8%。而在全球半导体库存有效去化、IDM大厂提升外包比率及北京奥运商机的催化下，2008年台湾IC产值可达新台币1兆7,000亿，年增长率18.9%，远优于全球IC产业表现。

在半导体产业库存逐步调整之际，加上主要IDM大厂纷纷转型为FAB-Lite或FAB-less，预计将带动IC产业Out-sourcing风潮;由于全球名列前茅的晶圆代工厂及封测厂商都在台湾，预计台湾将是这一波Out-sourcing需求下最大受惠者。

此外，北京奥运带来消费性及通讯产品需求，如DTV/HDTV、DSC、MP3、GPS、3G手机及移动电视，也为台湾IC产业带来庞大商机，因此拓墣认为2008年台湾整体IC产业增长动能将优于全球。预计2008年台湾IC设计产值为4,324亿新台币，IC制造产值为9,023亿新台币，IC封测产值为3,863亿，而YoY(Year-on-yearpercentage)分别为12%、22%及20%，IC整体产值为17,210亿新台币，YoY为18.9%。

针对未来高效能与节能需求，半导体产业将朝向“高度系统整合”与“制程微缩”两大技术趋势发展。“高度系统整合技术”如SoC、SiP及3DIC，除可缩小终端系统产品体积，耗电、效能、成本表现也较传统制程为优。

“制程微缩”可提升效能与节能并降低IC价格，例如45nm制程将比前一代65nm制程提升40%的效能，同时功耗降低10-20%;低功耗制程部分，45nm的静态(static)功耗和65nm制程相比，降低幅度则高达50%;而FDSOI(全空乏绝缘层覆硅)制程功耗也将比BulkCMOS制程降低40%。