原创 NOR与NAND(转)

2010-7-28 14:20 1546 2 2 分类: MCU/ 嵌入式
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构。

++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++ 特点


NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度(读速度快)大大影响了它的性能。


NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口


++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++ 性能比较


flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0


由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。


执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。


● NOR的读速度比NAND稍快一些。


● NAND的写入速度比NOR快很多。


● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快


● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。


● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。


++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++ 接口差别


NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。


NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。


NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。


++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++ 连接和编址方式


两种FLASH具有相同的存储单元,工作原理也一样,为了缩短存取时间并不是对每个单元进行
单独的存取操作,而是对一定数量的存取单元进行集体操作,NAND型FLASH各存储单元之间是串联的,而NOR型FLASH各单元之间是并联的;为了对
全部的存储单元有效管理,必须对存储单元进行统一编址。


NAND的全部存储单元分为若干个块,每个块又分为若干个页,每个页是512byte,就是
512个8位数,就是说每个页有512条位线,每条位线下有8个存储单元;那么每页存储的数据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同,这是设计时为了方便与
磁盘进行数据交换而特意安排的,那么块就类似硬盘的簇;容量不同,块的数量不同,组成块的页的数量也不同。在读取数据时,当字线和位线锁定某个晶体管时,
该晶体管的控制极不加偏置电压,其它的7个都加上偏置电压而导通,如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平,读出的数就是0,反之就是1。


NOR的每个存储单元以并联的方式连接到位线,方便对每一位进行随机存取;具有专用的地址线,可以实现一次性的直接寻址;缩短了FLASH对处理器指令的执行时间。


++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++ 速度


写数据和擦除数据时,NAND由于支持整块擦写操作,所以速度比NOR要快得多,两者相差近千倍
读取时,由于NAND要先向芯片发送地址信息进行寻址才能开始读写数据,而它的地址信息包括块号、块内页号和页内字节号等部分,要顺序选择才能定位到要操
作的字节;这样每进行一次数据访问需要经过三次寻址,至少要三个时钟周期;而NOR型FLASH的操作则是以字或字节为单位进行的,直接读取,所以读取数据时,NOR有明显优势


++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++ 容量和成本


NOR型FLASH的每个存储单元与位线相连,增加了芯片内位线的数量,不利于存储密度的提高。所以在面积和工艺相同的情况下,NAND型FLASH的容量比NOR要大得多,生产成本更低,也更容易生产大容量的芯片。


NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。


++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++ 易用性


NAND FLASH的I/O端口采用复用的数据线和地址线,必须先通过寄存器串行地进行数据存取,各个产品或厂商对信号的定义不同,增加了应用的难度;NOR FLASH有专用的地址引脚来寻址,较容易与其它芯片进行连接,另外还支持本地执行,应用程序可以直接在FLASH内部运行,可以简化产品设计。

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