原创 [转]存储器分类-半导体存储器

存储器分类_制造工艺及属性分类 
1．按制造工艺分类 
    按制造工艺分，可将半导体存储器分为双极型和MOS型两类。     
    (1)双极(Bipolar)型 
    由，TTL(Transistor一Transistor LogiC)晶体管逻辑电路构成。该类存储器件工作速度快，但集成度低、功耗大、价格偏高。 
    (2)金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)型 
    简称MOS型。该类型有多种制作工艺，如NM0s(N沟道MOS)、HMOS(高密度MOS)、CMOS(互补型MOS)、CHMOS(高速CMOS)等。该类存储器的集成度高、功耗低、价格便宜，但速度较双极型器件慢。 
  2．按使用属性分类 
  按使用属性分，可将半导体存储器分为RAM (Random Access Memory)和ROM(Read-Only Memmv)两类，如图3．2所示。 
    (1)RAM    
 随机存取存储器，也称随机存储器或读／写存储器。顾名思义，对这种存储器，信息可以根据需要随时写入或读出。对于一般的RAM芯片，掉电时信息将会丢失。 
    根据RAM的结构和功能，又可分为两种类型：静态RAM和动态RAM。 
    ·静态(static)RAM，即SRAM。它以触发器为基本存储单元，所以只要不掉电，其所存信息就不会丢失。该类芯片的集成度不如动态RAM，功耗也比动态RAM高，但它的速度比动态RAM快，也不需要刷新电路。在构成小容量的存储系统时一般选用SRAM。在微型计算机中普遍用SRAM构成高速缓冲存储器。 
    ·动态(Dynamic)RAM，即DRAM。一般用MOs型半导体存储器件构成，最简单的存储形式以单个M0s管为基本单元，以极间的分布电容是否持有电荷作为信息的存储手段，其结构简单，集成度高。但是，如果不及时进行刷新，极间电容中的电荷会在很短时间内自然泄漏，致使信息丢失。所以，必须为它配备专门的刷新电路。动态RAM芯片的集成度高、价格低廉，所以多用在存储容量较大的系统中。目前，微型计算机中的主存几乎都是使用动态RAM。 
    (2)ROM 
    只读存储器，在一般情况下只能读出所存信息，而不能重新写入。信息的写入是通过工厂的制造环节或采用特殊的编程方法进行的。信息一旦写入，就能长期保存，掉电亦不丢失，所以ROM：属于非易失性存储器件。一般用它来存放固定的程序或数据。ROM可分为以下五种类型： 
    ·掩模式(Masked)ROM，简称ROM。该类芯片通过工厂的掩模制作，己将信息做在芯片当中，出厂后不可更改。 
    ·可编程(Programmable)ROM，简称PROM。该类芯片允许用户进行一次性编程，此后便不可更改。 
    ·可擦除(Erasable)PROM，简称EPROM。一般指可用紫外光擦除的PROM。该类芯片允许用户多次编程和擦除。擦除时，通过向芯片窗口照射紫外光的办法来进行。 
    ·电可擦除(Electrically Erasable)PROM，简称EEPROM，也称E2PROM。该类芯片允许用户多次编程和擦除。擦除时，可采用加电方法在线进行。 
    ·闪存(Flash memory)，是一种新型的大容量、速度快、电可擦除可编程只读存储器。