单片机的扩展RAM读写时序（示波器图）

作者：shisifeiya 日期：2010-8-1

吴厚航同学在他的一篇博文提到了其测得单片机（11.0592MHz的STC89C52）的扩展RAM读写时序如下图：

使用了如下程序：

#include <reg52.h>

#define     uchar        unsigned char

#define  uint    unsigned int

uchar       xdata        LD _at_ 0x7fff;

void delay(uint cnt)

{ uint i;

 for(i=0;i<cnt;i++);

}

 void main(void)

{ uchar i;

 delay(1000);

 while(1)

        {LD = 0x00;

        LD = 0xf0;

        LD = 0x73;

        // i = LD;

        delay(1000);

        LD = 0xff;

        delay(1000);                   

        }

}

他还总结了：“第一次LD读操作需要5个指令周期外（1.085us*5），以后每次LD读操作都只要3个指令周期（1.085*3）。这也是从汇编的代码里仿真后得出来的结论。而从上图也可以知道CS有效时间其实是一个指令周期（1.085us）。”可是依据我测得的图形，和他所说的第一次“第一次LD读操作需要5个指令周期外”不一样，我测得的还是3个指令周期。

以下我将使用Winbond的PLCC封装的 W78LE516和22.1184Mhz晶振的电路，工具为4通道的Tektronix DPO4104数字荧光示波器作说明。

为了方便观察4个写脉冲，程序修改为：

#include <reg52.h>

#define     uchar        unsigned char

#define  uint    unsigned int

uchar       xdata        LD _at_ 0x7fff;

void delay(uint cnt)

{ uint i;

 for(i=0;i<cnt;i++);

}

 void main(void)

{ delay(1000);

 while(1)

        {LD = 0x00;

        LD = 0xf0;

        LD = 0x73;

        LD = 0xff;

        delay(3);                   

        }

}

探针设置为1为D0，2为WR，3为ALE，4为CS，波形如下图。在CS低电平时间，ALE低电平时间和吴厚航同学测得数据是一致的。下图探针1的波形在第一个上升沿很陡，但到后边有两个怪异的缓慢的上升沿。

为了观察地址和数据复用的现象，我把写外部存储器的地址改成uchar  xdata  LD _at_ 0x7ffe。探针设置为1为D0，2为WR，3改为D2，4为CS，波形如下图。

探针设置为1为D0，2为WR，3改为ALE，4为CS，波形如下图。脉冲宽度的大概情况：ALE为86ns， CS为534ns，CS的下降沿到WR的下降沿为 176ns， WR为 274ns，WR的上升沿到CS的上升沿为 86ns，第一个CS上升沿到第一个CS下降沿的为1.09us。可以得到写一个外部寄存器的周期为3个CS低电平的时间。

吴同学的实践图纠正了我以前的被一款PMOLED驱动芯片时序图引导的认识错误，误认为单片机数据信号是在WR变为低之后才给出的。此芯片是业界PMOLED显示屏大量使用的驱动芯片，时序图如下。

附三张W78LE516的时序图。

再附两张S3C2440A RISC MICROPROCESSOR的读写外部SRAM时序图，主要是为了认清片选、数据、地址相对的有效边沿时间，以扩展知识。