原创 LDO详解

LDO是指在输入输出间只需较小的压差的线性电压调整器

Vdropout: 在正常输出电压时调整输入电压，当输出电压下降到额定输出电压的89%，输入与输出电压的差为drop电压（带不同的负载时有不同的Drop电压，规格书上的Drop电压多指额定负载）。

　常见的LDO多为以下5种拓朴结构

PNP晶体的LDO具有输入电压高的优点，但同时需要更高的Drop电压；P－MOSFET的LDO有简单的驱动，更低的RDS值，但成本也更高。需要注意的是CMOS制程的LDO由于寄生二极管的存大，当输出电压高于输入电压时，可能会引起输入电压的倒灌从而损坏IC，所以在使此内LDO时尽可能不要使输出电压高于输入电压0.3V以上。

LDO相关的一些参数：

Drop电压：不同的拓朴结构其Drop电压是不同的。一般来说PNP管的压降是固定的，这个值和拓朴结构有关。P－MOSFET结构则与MOS管的导通电阻和通过的电流有关系。

静态电流：静态电流是指空载情况下消耗的电流

线性调整率：当输入电压变化时，输出电压对输入电压的依赖性。当输出电流一定时，输出电压随输入电压的变化量。

负载调整率：当输入电压一定时，当输出电压随负载电流的变化而产生的变化量。

电源纹波抑制比：输入电压与输出电压的纹波比值的对数值。

输出噪声：输出电压的噪声。

注意：LDO的噪声比开关电源的噪声要小，指的是LDO自身产生的噪声要比开关电源小，并不意味着从LDO输出噪声比从开关电要小，也不能说明LDO消除噪声要比开关电源好。如果输入部分的纹波，噪声过大，那么LDO输出的噪声也可能会很大。