原创 新工艺运放面向高压工业应用

2008-5-29 21:03 1190 7 7 分类: 模拟

高电压工业环境对高精度运算放大器的性能要求苛刻,德州仪器(TI)为此推出OPA211和OPA82两款放大器。它们与业界同类36V放大器相比,均实现了超低噪声、低功耗、小封装尺寸和高带宽,适合于测试测量、仪表、影像、医疗、音频和过程控制等应用。这两款放大器是采用TI公司独创的BiCom3HV“互双极36V硅锗(SiGe)”工艺开发的首批器件。

  OPA211(见图1)是双极输入运算放大器,仅需3.6mA电源电流即可实现1.1nV/√Hz电压噪声和80MHz增益带宽(GBW)。该器件具有 100mV失调电压,0.2mV/℃失调电压漂移和低于1ms的建立时间,非常适合于驱动数据采集系统中的高精度模数转换器。此外,该器件还支持轨至轨输出振幅,从而扩大了动态范围。OPA211工作电源电压范围为±2.25V~±18V,采用8引脚MSOP封装或8引脚DFN封装。3mm×3mm DFN封装面积仅为标准8引脚SO封装的三分之一。


OPA211是双极输入运算放大器



  OPA827(见图2)是JFET输入运算放大器,它结合了优秀的DC和AC性能。其中DC性能为4.5nV/√Hz电压噪声,250mV失调电压,1mV/℃失调电压漂移


以及400nVPP频率噪声。AC性能为18MHz GBW,22V/ms电压摆率和在1kHz频率条件下具有0.0004%总谐波失真(THD)。OPA827的工作电源电压范围为±4V~±18V,电源电流只需4.5mA。该器件采用8引脚MSOP封装,与8引脚SO封装相比占用面积减少了一半。

OPA827是JFET输入运算放大器



  BiCom3HV工艺率先采用硅锗技术的36V工艺,实现了高速度、低噪声、低功耗等特性,可满足未来高电压工业应用的需求。该工艺引入硅绝缘体(SOI)技术缩小了晶体管尺寸,从而TI晶体管尺寸仅为采用最先进工艺技术的同类产品的1/11。SOI还具有其它优势,例如低泄漏电流和更小晶体管间影响。BiCom3HV工艺非常适合于新一代工业电压运算放大器(双极输入和FET输入)、仪表放大器、可编程增益放大器和高精度参考。

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