此次的话题来自于我之前的一篇文章中Anon的评论,虽然它有些偏离新存储器技术这个主题,但是与人们是否认可与接受基于这些技术的商业化产品息息相关。这个话题就是现存的存储器技术与新存储器技术的每bit价格之间的比较。
我认为将过去的价格数据作为新存储器技术的价格目标时需要注意几点。
第一点需要注意的是,众所周知,NAND具有占空比的限制,而新存储器技术具有一组不同的性能属性。目前的挑战在于新存储器技术的应用能够从这些与以往不同的性能属性中获益。因此,与NAND(尤其是多层NAND单元)的每bit性能的对比并非主要的衡量标准。
第二点需要注意的是,现存的存储器技术的每bit价格的下降在将来是否能够保持与近期同样的下降速率?
大容量存储器设备的价格仍然在很大程度上取决于这些产品的供求平衡关系。
然而我们大部分人都知道,200毫米存储器的产量已经下降,近几年也几乎没有任何增加任何300毫米的NAND和DRAM晶圆的产能,并且大型晶圆生产线的投产至少是在大量投资后的24个月。换句话说,过去的两年很可能和今后的两年存储器bit数的增长仅仅是依靠生产率的提高以及多层单元的结构。因此,在我看来,对于一些需要更高的可靠性和占空比性能的DRAM和SLC NAND的应用,我们将不可避免地会面对存储器短缺。这仅仅是时间和短缺程度的问题。
此外,企业计算基础设施需要进行重大的升级。一些服务器已经进行了升级,云计算架构已经取代了其他的企业资源。然而,很多企业已经将个人桌面设备的升级推迟到向新的64bit架构转变的时候。如果在2010年有强大的企业金融复苏得以更新所有陈旧的计算基础设施,那么新设备的快速转变也将触发存储器产品的短缺。
存储器厂商在确定投资的回报之前根据商业惯例都会有意地保留对新生产线的投资(此外,我认为对于小于30nm制程的NAND所面临的挑战也已经被考虑进未来的价格方程了)。在由于近几年都缺乏资金投入而导致存储器的产能短缺而没有可行的短期解决方案的情况下,我不认为存储器产品的每bit价格在未来5年里的下降速率能够达到历史水品。
由此产生的冲击将使得新存储器技术与NAND的价格差至少在接下来的两年不再成为PCM和其他新的存储器技术的阻碍。而在这段时期以后许多其他的技术也将踏上舞台,我对于存储器的基本观点是接下来两年的市场状况将不会按照过去5年的历史bit增长和价格趋势,并且这种情况对于引入新的存储器技术将是有利的。
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