原创 光刻技术挑战的影响 第二部分

      在首先就我是否有些破坏了Tredennick博士的报告向他道歉后，必须指出我完全赞同Tredennick博士之前对于制造业所面临的挑战的评估。

     我同时认为这一制造业所面临的问题对于存储器技术的生产成本具有双重影响。

     第一点影响是关于得到最小光刻尺寸的能力。一些存储器厂商已经准备好在未来的12至18个月中大量生产25至30纳米的晶圆，看似会早于逻辑产品的大量生产。因此，存储器厂商将可能会首先来检验这一基础可能出现的局限性。无论由于尺寸的减小作带来的复杂性将会给成本/性能比率造成多大的额外成本，都将同等地作用于新的存储器技术以及原来的DRAM/NAND技术。

   然而我认为第二点影响将并不会同等地作用于新旧存储器技术。跟NAND/DRAM相联系的是电荷存储技术，这恰恰与新的存储器技术所支持的数据存储结构截然不同。由于20nm以下尺寸的光刻将在很大程度上减少电荷存储技术赖以维持持续并且可预测的能量等级的有效质量，因此单元的性能和耐久性发生了改变。但这种情况并不适用于阻变和状态改变存储器单元。

     聪明的工程师们一直在找寻延长任何技术或工艺的生命的途径，但有些时候他们仅仅能做的只是改变集成芯片传统的每比特成本或每项功能的成本的下降速率。

     我可以预见的是现今的大容量存储器技术对于加入更多的错误修正或其他形式的物理补偿的需求将显著地减缓NAND和DRAM的每比特成本的下降。并且相比起大多数新兴的存储器技术，这些附加成本对电荷存储存储器技术每比特成本的下降的速率更加不利。

     我们已经暗示了新存储器技术的一个立足点——我们已经提出牧本浪潮可能是目标应用发生大规模变迁的预兆并且注意到Intel看似已经按照类似的方式再发生转变。当你改变了目标应用使其不再针对整体的桌面PC架构，你同样改变了整个技术的价值主张。

     现在我们已经考虑到了Tredennick博士关于另一个将动摇传统存储器每比特成本期望的基础的潜在重大影响的提示。