1.1 射频概念
1864~1873年,英国物理学家麦克斯韦通过电磁学的研究,提出了著名的Maxwell方程组,并在理论上预言了电磁波的存在。
1887~1891年,德国物理学家赫兹通过电磁学实验首次证实了电磁波的存在
1901年,马可尼利用电磁波实现了横跨大西洋的无线通信。
表1.1 频率和波段的划分
波段<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" /> | 缩写 | 频率范围 | 波长 |
极低频 | ELF | 30~300Hz | 1000~<?xml:namespace prefix = st1 ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:smarttags" />10000km |
音频 | VF | 300~3000Hz | 100~1000km |
甚低频 | VLF | 3~30kHz | 10~100km |
低频 | LF | 30~300kHz | 1~10km |
中频 | MF | 300~3000kHz | 0.1~1km |
高频 | HF | 3~30MHz | 10~100m |
甚高频 | VHF | 30~300MHz | 1~10m |
特高频 | UHF | 300~3000MHz | 0.1~1m |
超高频 | SHF | 3~30GHz | 1~10cm |
极高频 | EHF | 30~300GHz | 1~10mm |
**50Hz交流电 ----ELF **电视广播 ----VHF和UHF
**调幅广播 ----MF **GSM通信 ----UHF
**调频广播 ----VHF **卫星通信 ----SHF
表1.2 IEEE和商用波段划分
名称 | 频率 | 波长 | |
射频/微波 | P波段 | 0.23~1.0GHz | 30~130cm |
L波段 | 1.0~2.0GHz | 15~30cm | |
S波段 | 2.0~4.0GHz | 7.5~15cm | |
C波段 | 4.0~8.0GHz | 3.75~7.5cm | |
X波段 | 8.0~12.5GHz | 2.4~3.75cm | |
Ku波段 | 12.5~18.0GHz | 1.67~2.4cm | |
K波段 | 18.0~26.5GHz | 1.13~1.67cm | |
Ka波段 | 26.5~40.0GHz | 0.75~1.13cm | |
毫米波 | Q波段 | 33.0~50.0GHz | 6~9.1mm |
U波段 | 40.0~60.0GHz | 5~7.5mm | |
V波段 | 50.0~75.0GHz | 4~6mm | |
E波段 | 60.0~90.0GHz | 3.3~5mm | |
W波段 | 75.0~110.0GHz | 2.7~4mm | |
F波段 | 90.0~140.0GHz | 2.1~3mm | |
D波段 | 110.0~170.0GHz | 1.8~2.7mm | |
G波段 | 140.0~220.0GHz | 1.4~2.1mm |
1.2 射频通信电路应用简介
在电子通信系统中,只有使用更高的载波频率,才能获得更大的带宽。按照10%的带宽计算,有线电视系统中使用100MHz的载波可以获得10MHz的带宽
1.3 射频电路设计的特点
1.3.1 分布参数
集总参数元件:指一个独立的局域性元件,能够在一定的频率范围内提供特定的电路性能。在低频电路设计中,可以把元件看作集总参数元件,认为元件的特性仅由二传手自身决定,元件的电磁场都集中在元件内部。如电容、电阻、电感等;一个电容的容抗是由电容自身的特性决定,不会受周围元件的影响,如果把其他元件靠近这个电容器,其容抗不会随之产业化。
分布参数元件:指一个元件的特性延伸扩展到一定的空间范围内,不再局限于元件自身。由于分布参数元件的电磁场分布在附近空间中,其特性要受周围环境的影响。
同一个元件,在低频电路设计中可以看作是集总参数元件,但是在射频电路设计中可能需要作为分布参数元件进行处理。例如,一定长度的一段传输线,在低频电路中可以看作集总参数元件;在射频电路中,就必须看作分布参数元件。
分布电容(CD):指在元件自身封装、元件之间、元件到接地平面和线路板布线间形成非期望电容。分布电容与元件眯并联关系。
分布电感(LD):指元件引脚、连线、线路板布线等形成的非期望电感。分布电感通常与元件为串联关系。
**在低频电路设计中,通常忽略分布电容和分布电感对电路的影响。随着电路工作频率的升高,在射频电路设计中必须同时考虑分布电容和分布电感的影响。
分布电容容抗计算公式:
XD=1/ωCD=1/2πƒCD
分布电感感抗计算公式:
XD=ωLD=2πƒLD
如:分布电容CD=1pF,其在ƒ=2kHz、2MHz和2GHz时的容抗:
ƒ=2kHz时:XD=79.6MΩ
ƒ=2MHz时:XD=79.6KΩ
ƒ=2GHz时:XD=79.6Ω (接近与射频电路标准阻抗Z0=50Ω,并联影响明显)
又如:分布电感LD=1nH,其在ƒ=2kHz、2MHz和2GHz时的感抗:
ƒ=2kHz时:XD=12.6×10-6Ω
ƒ=2MHz时:XD=12.6×10-3Ω
ƒ=2GHz时:XD=12.6Ω (接近与射频电路标准阻抗Z0=50Ω,串联影响明显)
1.3.2 λ/8设计准则
随着工作波长变短,电路板上不同位置电压的相位差变大,因此必须考虑电压和电流空间分布的变化。通常使用λ/8判断准则,决定是否使用传输线理论进行电路分析和设计。当电路板的几何尺度小于1/8工作波长时,可以不使用传输线理论进行电路设计。
如:某CPU内部核心电路尺寸为5mm左右,时钟频率达到了2GHz,是否需要按照传输线理论进行分析和设计?
2GHz对应波长为:λ=c/ƒ=0.15m;λ/8≈19mm>5mm,则按λ/8设计准则,不需要按传输线理论进行电路设计。
1.3.3 趋肤效应
趋肤效应使电流集中在导体表层区域中,导致有效导电面积的变小,使导体的交流电阻增加。
趋肤深度(δ):即有效导电厚度
δ=1/√πƒµσ (µ导体的导磁率,σ导体的电导率) µ铜=6.45×107S/m
ƒ=1kHz --> δ=2.0mm
ƒ=1MHz --> δ=63µm
ƒ=1GHz --> δ=2.0µm
由上可以看出,在1GHz的工作频率下,电流将主要集中在铜表面2µm的范围内,导线表面的光洁程度将会影响导线的射频电阻,一旦发生表面氧化就会增加传输损耗
对半径为a的圆柱形导体,当a远大于δ,可以通过如下公式估算频率状态下的电阻
RRF≈RDCπa2/2πδa=RDCa/2δ
如:a=0.5mm 在1GHz的工作频率下,则
RRF≈250RDC 即射频电阻已经达到了直流电阻的250倍
因此,在低频电路中,一个普通的导线就可以把两个电路短接在一起,在射频电路中,只有足够宽、足够平的导体才能短接两个电路。
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