中心议题:
解决方案: 避免ESD的发生: 避免ESD 发生的方法多出现于产品交付客户以前,即研发、生产等过程。因为在这些阶段, 一般而言,避免ESD 的方法可分为以下几类:
这也是电子制造厂为何多在南方建厂的原因之一。 ESD保护器件与保护电路: ——举例来说,我们不可能在使用手机之前先戴上静电手环,通话结束后将手机放到静电袋中以避免ESD。事实上,由于用户鲜有机会接触到产品内部的元器件及电路板,因此也不需要如此严格的ESD 防护措施,但这并不意味着ESD 的问题不存在 ——首先,ESD 可以输入/ ——其次,随着电子产品,特别是消费电子产品向着轻薄化发展,导致内部IC 的外形尺寸不断减小,其自身ESD 防护能力亦不断减弱。所以,工程师在设计时通常加入ESD 保护器件,而很多IC 内部也有片上ESD 保护电路。 片上ESD保护电路: 相信所有人都希望ESD 防护能完全地集成到IC 芯片内部,因为这样会节省的板级空间,减少系统成本并降低设计与布线的复杂度。但从目前情况来看,前景并不乐观。如今,IC 制程工艺的进步成了片上ESD 保护的一大难题。一方面,工艺的进步虽提升IC 的性能与集成度并降低功耗与尺寸,但由于栅极氧化层厚度越来越薄,IC 自身的ESD 防护能力反而降低。另一方面,随着IC 尺寸的不断减小,由于受到空间的限制,因此保护能力有限。 ESD保护器件 由于片上ESD 保护电路能力有限,为保证整个系统有较好的ESD 防护能力,外部ESD 保护器件是必不可少的。比较常见的有陶瓷电容、齐纳二极管、肖特基二极管、MLV(Multi-LayerVaristor,多层变阻器)和TVS(Transient Voltage Suppresser 瞬态电压抑制器)。MLV 是一种基于ZnO 压敏陶瓷材料,采用特殊的制造和处理工艺而制得的高性能电路保护元件,其伏安特性符合I=kVa,能够为受保护电路提供双向瞬态过压保护。MLV 的工作原理是利用压敏电阻的非线性特性,当过电压出现在压敏电阻的两极间, 压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值,从而实现对后级电路的保护。目前,MLV 在很多领域得到了广泛的应用,如手机、机顶盒、复印机等等。 与MLV 相比,不难看出TVS 有如下优势: 封装尺寸从0402 到1206。而TVS 采用硅芯片技术,可以得到比MLV 更小的元件封装尺寸 性能:TVS 有更低的箝制电压、更低的漏电以及更快的响应速度 寿命:由于工作原理不同,TVS 与MLV 的寿命也不尽相同。做了一个形象的比喻:“TVS的原理就好像太极,把接收到的能量快速的转 移到接地端,所以它的寿命几乎就是无限的。而可变电阻就好像一个人在不停的挨打,它把能量都由自己来承受吸收,因此,寿命是有限的,而且随使用时间的增加,性能会慢慢下降。” 结语
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