借这本书的主要目的是想从另外的一个角度学习二极管、三极管等等基础元器件，你知道的，国内大部分模电书籍讲这些基础，总是跳不开理论啊、术语啊，康华光老师或者童诗白老师已经讲成那样了，我还是看不懂，或者说，不能融会贯通，无法在实际的工作中熟练的使用。所以，要寻求新的角度来理解这些，于是，去图书馆借了这本《固态电子器件》，听书名好像是将电子、原子啥的，其实它关注的是器件的基本工作原理，同时介绍器件的制造过程。应该很符合我的需求，OK，读一读。
本人直奔主题，跳过一至四章，直接进入第五章：PN结。笔记开始。
1.PN结制造的主要工艺步骤
Si表面氧化→涂覆正交→用掩膜A曝光→显影取出光刻胶→RIE刻蚀取出窗口内的SiO2→通过窗口注硼→去除光刻胶并在表面溅射A1→用光刻胶盒掩膜B重复步骤2~4，保留接触孔处的A1。（对于制造芯片或者研究信号完整性，这些最基础的工艺应该是要知道的，这样你就知道哪里引入了什么，造成什么影响等等。）
在讲平衡态的PN结前，先记下两个概念：扩散和漂移。从高浓度区域向低浓度区域叫做扩散。反之叫做漂移。
由于空穴和电子的漂移和扩散形成了4个流经结的电流分量，在平衡态（无外部激励，器件中无净电流流过）时，这4个分量之和为零。
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