原创 4200脉冲IV测量CMOS晶体管测试开始

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在测试开始时，被测设备（DUT）的漏极由SMU2产生偏置，并等待门极脉冲开通晶体管产生漏极电流Id。

 

A：门极电压脉冲：这个波形是4200-PG2[1]通道1的输出。除了一些小的电缆损失外，它的幅值与DUT门极（C）看到的相同。需要注意的是波形上没有直流偏移，这是因为任何直流电压会导致过多的功率散发在功率分配器上。



B：示波器（4200-SCP2通道1）测量得到门极电压脉冲：通过功率分配器传输后得到的脉冲的一部分。分频器和50Ω的输入阻抗使得脉冲的幅值减少了33％，同时还需加上任何额外的电缆损耗。 PulseIV校准会计算功率分配器和电缆引起的损耗。功率分配器将功率分成一半（3dB），这意味着实际电压低于根号2。因此， 2V脉冲得到约1.41V的信号（假设没有其他损失）。请注意，这种测量是用来确定Vg脉冲适当的幅值，但它并不测量门极电流。

SMU1（未显示在图1b中）：这是脉冲IV测试中，SMU1的输出电压。在项目的脉冲IV测试中，SMU1固定在0V。PulseIV-Complete[2]



C：DUT门极的电压脉冲：这个波形是在DUT门极“看到的”。这个脉冲开通晶体管并产生漏极电流的流动。脉冲IV校准考虑了布线的损耗，假设门极是高阻抗。



SMU2：通过远程偏置T型接头，施加在漏极的直流偏置。



D：漏极响应：此波形显示了直流偏置和门极脉冲的结果响应。注意，漏极是直流偏置，这个波形中的脉冲是门极脉冲的结果。漏极没有施加脉冲，而显示的脉冲是漏极电流流动的响应。



E：示波器（4200-SCP2[3]通道2）测得的漏极电压响应：漏极的响应是由于门极脉冲开通了晶体管，并允许漏极电流流过。这个漏电流，Id，通过示波器50Ω输入阻抗，它作为电流采样电阻（Rsense）而导致波形的电压降（图1a的 Vsense）。它是负电压响应，这是由于电流通过50Ω电阻的流动方向和示波器参考地的原因。请注意，这个波形AC转移到0V，由于4200-RBT上的耦合电容。

 

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