原创 【博客大赛】针对小型化基带硬件电路核心电压上/下冲问题分析

2014-2-11 18:54 2669 21 35 分类: 模拟

作者:用芯创造未来

2014210Monday

前言

本文档主要对在新捕获算法工作状态下,引起小型化应答机基带硬件电路1.5V核心电压上/下冲(overshoot/undershoot)的现象进行问题分析。尽可能的记录并总结出有价值的经验,这其中包括核心电压过冲现象对产品的危害,如何避免此类设计错误,硬件上如何采取补救措施,以及相应的软件解决方案。

 

 

1    调试问题过程记录

550万门FPGA的硬件平台上,新的捕获算法功能正常,解扩积分时钟为80Mhz,并行相关路数为256路,积分周期为4个偏周期。将该算法单独,直接的移植到300万门FPGA的小型化硬件平台上,程序不启动,搜索不到chipscope核。并发现较老捕获完整工程,功耗由原来的3.3W3.3V*1.0A)提升至6W3.3V*1.8A),此时已严重超出了所选LDOMSK5101-00H)的输出电流范围(1.5A)并导致核心电压1.5V的纹波高达500mV。为了确定是由功耗过大导致程序不启动的原因。

首先,软件上将新捕获的解扩积分时钟从80Mhz降低至40Mhz,并行相关路数从256路降低到128路,并采用内部自环的测试程序。同时,硬件上跳接电源,由外部独立电源单独给FPGA核心电压1.5V供电。此时,程序一切正常,核心电压1.5V纹波的峰峰值电压低至100mV以内,供电电源完全满足指标要求。

然后,为了方便调试,用3.3V输入具有同样芯片和电路结构的电源模块替换独立电源。由于电源模块采用了较大的输出电容,而且降低了单板的热耗(总热耗不变),此时加载上降功耗的自环测试软件,程序一切正常。把降功耗的新捕获模块添加到完整工程上进行测试,功能同样正常。并且较老捕获的完整工程在资源相当的情况下,从原来的3个积分周期增加到4个,并且大幅度改善了一次捕获完成速度(具体的性能优化参看新捕获详细设计文档),完全达到了预期的设计指标,同时,功耗基本保持一致,在3.3W3.3V*1.0A)左右。但是,通过分析核心电压1.5V的纹波,发现此时的纹波达到了200mV,超出FPGA的推荐极限值150mV

由于在整机分布式电源规划中对基带的考虑不全,致使电源芯片的选型失误,加上工程设计与实施阶段各环节又缺少必要的交流,已经造成硬件不可回头更改的现状。最后,问题定位为:在硬件电路不能大改的前提下(主要考虑时间节点限制),程序正常工作中,如何设法降低核心电压1.5V的动态纹波。

 

    问题现象分析

上节对发现问题和对问题的调试过程做了简要的记录,接下来将针对问题点利用图文叙述的方式,进行针对性的分析。截止目前,调试状态:外接输入3.3V,输出1.5V@1.5ALDO电源模块给FPGA提供核心电压。在最终降功耗版本的完整工程软件上分析核心电压纹波信号,参见图2.1所示。

20140211100333510.jpg

2.1 调试状态和核心电压动态变化图

 

2.1         电压上/下冲的危害

根据图2.1所示的动态信号易知,正常的纹波电压并不大,均在100mV以内。主要是由于电压上下周期性的过冲致其超过FPGA核心电压要求范围。参考Xilinx发布的数据资料(见图2.2),在其电气特性的绝对最大额定参数指标(Absolute Maximum Ratings)中明确指出,长时间周期性的暴露于绝对最大额定参数条件下,可能会影响到芯片的可靠性。数据手册指出的电气特性说明截图如见图2.2所示。在目前的调试状态中,虽然程序功能运行正常,但存在周期性的核心电压上下过冲,而且过冲的峰值已经超过器件VCCINT的绝对最大额定参数,因此,在即将定型的产品应用中,任何降低器件可靠性的因素都不允许存在,必须设法在当前条件下去除或降低周期性的电压过冲。

 

20140211100401317.jpg

20140211100423707.jpg

2.2 资料局部截图

 

除此之外,如果LDO输出电容选择钽电容,即便是对其额定电压进行降额选型,在长期暴露在极端温度条件下,上冲幅度增大就会存在钽电容失效的可能,从而影响电源的可靠性。

 

2.2         造成电压上/下冲的原因

 

20140211100449554.jpg

a

 

20140211100509139.jpg

b

2.3动态核心电压的局部放大组图

20140211100534176.jpg

2.4 降功耗的新捕获时域周期性并行处理示意图

 

仔细分析信号的周期性,按照图2.4所示的捕获周期性并行处理示意图,信号并行处理流程如下:在Tcoh时段里,将下变频后的IQ两路信号分别同时的进行128路并行解扩和相干积分,积分速率为40Mhz;在Tsearch时段里,停止积分,并锁存并行的积分结果,按照串行最值搜索的方式,搜索出该次并行积分结果中的峰值及其引索,处理时钟也为40Mhz;完成搜索任务后,将锁存保持的并行数据进行清零,继续开始下一次的积分过程,如此周而复始,以分时复用的方式完成二维搜索的数据计算。按照4个积分周期所需的积分点数和串行最值搜索中完成1次非相干(平方和)的计算节拍,可计算得:

20140211100559372.jpg

其中,搜索频点切换前一时段的Tdelay为新捕获算法设计中存在固有等待延时,该时段内不做任何并行或串行处理。因为量级为ns,所以在分析问题时可以忽略不计。

结合图2.4所示新捕获工作示意图和图2.3对动态信号的局部放大,对过冲周期的测量可知,图2.3(a)中上冲到下冲间较短的周期测量值大约为13.6us,图2.3(b)中下冲到上冲间较长的周期测量值大约为205us。考虑系统实现过程中存在固有的系统处理延时节拍,以及与理论设计计算值的对比验证,可以得出初步结论:核心电压上下过冲的原因很可能是由于动态运行中,FPGA内部电路的运行状态进行周期性,大面积的切换,导致其对电源的负载瞬态响应(Load Transient Response)提出了新的要求。其中,在Tcoh时段里,FPGA进行的是多路并行快速的解扩积分运算,影响功耗的主要因素,数据翻转率和内部运行时钟均为最大值,因此所需功耗接近最大;而在Tsearch时段里,并行计算停止,进行串行的最值搜索,相对减少到只有计数器和平方和电路工作,因此所需功耗接近最小;如此周期性的动态条件下,形成了较大范围的变负载运行状态。

此时,如果提供核心电压1.5VLDOMSK5101)内部环路响应的控制速度不够快,则在环路纠正瞬变前输出电容上的电压变化就会变大。为了用最小的代价解决电源瞬态响应不满足软件运行要求的问题,首先可以对电源电路本身进行问题机理分析。因为,目前航天用的芯片必须选择陶瓷或金属封装,这大大影响了线性稳压器本身的性能。国内大部分陶瓷/金属封装都是传统的LDO,缺少二次快速瞬态响应环路。一旦芯片选定,其传统环路响应的控制速度就固定,而且达不到TILinearMicrochipDiodesLDO的环路响应速度,只有通过输出电容来改善电源负载瞬态响应。因此,了解输出电容的寄生特性对电源负载瞬态响应的影响很重要,也决定了是否能从硬件角度解决问题。

除此之外,根据PCB电路原理图2.5可知,还可考虑尝试利用磁珠吸收高频分量的特性,但并不被推荐用于电源电路。如果为了确认问题,可对PCB进行信号完整性分析,查找布局和走线的问题,或者增加资源调整软件减小负载的变化等等,这些都待后续进行。

 

20140211100622248.jpg

2.5 核心电压1.5V部分的电路原理图

 

2.3       LDO的负载瞬态响应

    详细文献参看《Understanding the load-transient response of LDOs》。

 

3~5.等后续问题解决后再补上。如有高手能够给出经验之谈可直接联系我(见个人信息栏).欢迎数字通信同步技术,抗干扰以及与信号处理和数模射电路设计领域相关的经验交流。

 

文章评论14条评论)

登录后参与讨论

fanyan_tll_621621837 2014-3-8 13:14

非常精彩!:)在航天还有很多可靠性设计。不单单只有电子方面的,这方面的知识还有待我继续挖掘挖掘。

lfine 2014-2-24 16:47

"我觉得电容串联就是增加额定电压,但从硬件设计和技术负责人那里都的不到答案,他们也不太说的清,就知道是防止电容在天上实效,航天规定这样串的要求。具体还得和多点人确认这个事情" 在这里应该不是为了提高耐压等级。大容量小体积电容无论是电解电容、瓷片电容、钽电容可靠性都比其他器件要低,发生短路或开路故障可能性较大。这里采用两串两并的方式,做了电容失效的双备份。任何一个电容的任何种类失效;不同臂的任何两个电容其中一个短路,另一个任何种类的失效;同一臂的两个电容有一个开路,另一个任何种类失效;三个电容失效时,只要正常电容所在臂的失效电容是短路、另一个臂至少有一个电容开路失效等各种失效模式下,电路还都能保证正常工作。大大提高了大电容量电容的可靠性。当然,在参数选择上,必须要求该电路在电容容量降低到一半或提高一倍的条件下都能够正常工作。因此,你的调试应确保四个电容中摘掉任意一个时,纹波都不能超标。

fanyan_tll_621621837 2014-2-14 18:20

我觉得电容串联就是增加额定电压,但从硬件设计和技术负责人那里都的不到答案,他们也不太说的清,就知道是防止电容在天上实效,航天规定这样串的要求。具体还得和多点人确认这个事情

fanyan_tll_621621837 2014-2-14 18:11

后面把布局不限关键点写出来讨论

fanyan_tll_621621837 2014-2-14 18:02

嗯,电容串联是航天规范。主要是防止在天上电容实效,两个串起来就可以避免。具体原因我也不太清楚。而串联必然导致ESL增大,LDO响应瞬间电容通过充放电控制输出电压时,ESL大则过冲大。但这中串联结构不能动。只有换陶瓷或者比如0612小ESL封装的钽电容串联。现在没有条件调试,等过段时间电装完的产品来了才能继续找这个调试问题。

用户22069 2014-2-14 13:59

从你的问题描述,好像电源出了问题,从你的原理图来看,貌似你的输出电容好像非常乱,0.01uf的应该是给芯片退藕的,那个10uF的应该是去除纹波的,但不清楚为什么你要把电容串联,0.1uf,选50v耐压值,输出电容可以选大一点的,比如470uF,D型6.3V钽电容试试!不过主要看有就是你的布线布局啦!

fanyan_tll_621621837 2014-2-14 11:06

在动态条件下,100mV以内属于正常现象。实际动态测量值在75mV大概5%,对于这种.13um工艺片子下的小型化电路已经足够了。在静态条件下降额要求也差不多2%。纹波没问题。

用户377235 2014-2-13 21:16

“核心电压1.5V纹波的峰峰值电压低至100mV以内,供电电源完全满足指标要求。” 1.5V的电源,纹波100mV就满足要求了?一般我们要求纹波不超过2%。

fanyan_tll_621621837 2014-2-12 20:44

和测试没关系,就是调试问题,这个现象是不允许的。而且测试通过并不就ok了。可靠性的很多隐患是短时间不可测的。必须正向解决。还是关心这个问题点,解决后的测试的强度大可放心。

coyoo 2014-2-12 15:39

所以我觉得调试的时候要求要更严苛,实验室下满足要求在实际环境下也许就不一定满足要求。也许,你说测试还未开始,最终产品定型前,可能需要通过各种模拟环境下的测试:高低温、三防、电磁兼容等等
相关推荐阅读
用芯创造未来 2018-04-21 18:46
【博客大赛】五年后,回到这里聊聊“芯”事
      五年前我正值毕业季,刚刚走上工作岗位。因为那年在研究生电子设计大赛中的一些切身感受,本着分享技术经验和职场感悟的想法在EDN上开了博客,希望结识更多的同行,也...
用芯创造未来 2014-10-22 09:37
当前科技成果转化中的种种误区
      中科院最近一直在进行各种改革的尝试,正在进行摸索的是“率先行动计划”,但是包括我本人在内的很多人还不明就里。所里前不久到各个课题组进行了摸底谈话,我也就个人的一些意见进行了交流,其中就...
用芯创造未来 2014-10-21 15:53
(转载)当前科技成果转化中的种种误区
      中科院最近一直在进行各种改革的尝试,正在进行摸索的是“率先行动计划”,但是包括我本人在内的很多人还不明就里。所里前不久到各个课题组进行了摸底谈话,我也就个人的一些意见进行了交流,其中就...
用芯创造未来 2014-10-10 23:45
【博客大赛】为什么现在不考虑读博深造
    时间过得很快,现在不怎么喜欢写网络博客,但记录的习惯没有丢。平时把工作周报当成了技术问题记录和个人博客在单位内部共享,时不时自己回头看看,这样能保持清醒的头脑,坚持自己的技术追求。今年中秋节的...
用芯创造未来 2014-10-10 23:43
为什么现在不考虑读博深造
    时间过得很快,现在不怎么喜欢写网络博客,但记录的习惯没有丢。平时把工作周报当成了技术问题记录和个人博客在单位内部共享,时不时自己回头看看,这样能保持清醒的头脑,坚持自己的技术追求。今年中秋...
用芯创造未来 2014-06-09 15:57
[博客大赛]对电子学与测量学的一点感悟与困惑
         最近思想有点跑偏,在长沙这个电子信息产业发展相对落后,或者说有点闭塞的地方,每当自己想捣鼓捣鼓一些感兴趣的东西时总是一筹莫展。如果换在成都,在两个层次的理工类高校、大小企业和研究...
我要评论
14
21
关闭 站长推荐上一条 /2 下一条