新的的半导体材料氮化镓将给我们生活带来质的改变，可以跑高频，发热量超级低。
氮化镓材料的结温可以达到300度，而硅材料只能150度。
氮化镓MOSFET体内没有寄生二极管，但电流可以从S流到D，没有恢复的损耗。而氮化镓体内的寄生电容比COOL-MOSFET小很多，从而使得它在古墓关电路工作的电路中开关及续流损耗大大降低。
而体内较低的Coss电容也使得他在软开关DCM，或CRM时死区的损耗降到最小。下图是氮化镓MOSFET与COOL-MOSFET的一对比。
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http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX
chenjyumeng_904042827 2014-11-19 17:45
用户403664 2012-11-19 10:59
用户1696769 2012-11-12 17:59
用户375266 2012-11-12 10:10
用户1696769 2012-11-12 09:36
用户375266 2012-11-11 09:49
用户1696769 2012-11-10 22:37
rezone，你好，我看了你的PDF文档， 其实文字不算多的，可能是里面有比较多的 表格，占用了大量的代码，导致超过字符限制。你说的这个问题我们会再考虑你和其他网友的意见，放开字符限制。之所以加了字符限制，是考虑到防止一些网友粘贴的来自其他网站的内容中含有大量无用甚至可能恶意的代码，破坏了页面样式，并且影响页面访问速度。之前我们建议网友将大文章分成几篇连载的形式，或者使用高级编辑器中的一键排版功能去除多余样式，但是这种用户体验毕竟不太好，我们会考虑你的意见的，谢谢！
用户375266 2012-11-10 20:20