DRAM,动态随机存取存储器,需要不断的刷新,才能保存数据.而且是行列地址复用的,许多都有页模式。
ARM
SRAM,静态的随机存取存储器,加电情况下,不需要刷新,数据不会丢失,而且,一般不是行列地址复用的。 ARM
SDRAM,同步的DRAM,即数据的读写需要时钟来同步。 DRAM和SDRAM由于实现工艺问题,容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM,但是现在,SDRAM的速度也已经很快了,时钟似乎已经有 150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。
字串4
SRAM是静态内存,SDRAM是同步动态内存
每单位容量的DRAM使用较少的晶体管而且占用面积小,而SRAM则是用较多晶体管占用的面也要相对大不少;DRAM需要不断刷新来维持所存储的数据,SRAM则不需要;DRAM的存取时钟间隔长,而SRAM的速度快,时间短;DRAM的耗电低,SRAM耗电大。
目前,相同容量的SRAM价格是SDRAM的8倍左右,面积则将近大4倍,所以SRAM常用于快速存储的较低容量的RAM需求,比如Cache(缓存),比如CPU内部的L1 Cache和主板上的L2 Cache,一般只有几百K。
布线上可以同样遵守高速设计的需要,具体可参考厂家设计规范要求。
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