1、同步电路和异步电路的区别是什么?(仕兰微电子)
2、什么是同步逻辑和异步逻辑?(汉王笔试)
同步逻辑是时钟之间有固定的因果关系.异步逻辑是各时钟之间没有固定的因果关系.
3、什么是"线与"逻辑,要实现它,在硬件特性上有什么具体要求?(汉王笔试)
线与逻辑是两个输出信号相连可以实现与的功能.在硬件上,要用oc门来实现,由于不用 oc门可能使灌电流过大,而烧坏逻辑门. 同时在输出端口应加一个上拉电阻.
4、什么是Setup 和Holdup时间?(汉王笔试)
5、setup和holdup时间,区别.(南山之桥)
6、解释setup time和hold time的定义和在时钟信号延迟时的变化.(未知)
7、解释setup和hold time violation,画图说明,并说明解决办法.(威盛VIA
2003.11.06 上海笔试试题)
Setup/hold time 是测试芯片对输入信号和时钟信号之间的时间要求.建立时间是指触发 器的时钟信号上升沿到来以前,数据稳定不变的时间.输入信号应提前时钟上升沿(如上升沿有效)T时间到达芯片,这个T就是建立时间-Setup time.如不满足setup time,这个数据就不能被这一时钟打入触发器,只有在下一个时钟上升沿,数据才能被打入触发器. 保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后,数据稳定不变的时间.如果hold time 不够,数据同样不能被打入触发器.
建立时间(Setup Time)和保持时间(Hold time).建立时间是指在时钟边沿前,数据信 号需要保持不变的时间.保持时间是指时钟跳变边沿后数据信号需要保持不变的时间.如果不满足建立和保持时间的话,那么DFF将不能正确地采样到数据,将会出现 metastability的情况.如果数据信号在时钟沿触发前后持续的时间均超过建立和保持时 间,那么超过量就分别被称为建立时间裕量和保持时间裕量.
8、说说对数字逻辑中的竞争和冒险的理解,并举例说明竞争和冒险怎样消除.(仕兰微 电子)
9、什么是竞争与冒险现象?怎样判断?如何消除?(汉王笔试)
在组合逻辑中,由于门的输入信号通路中经过了不同的延时,导致到达该门的时间不一致叫竞争.产生毛刺叫冒险.如果布尔式中有相反的信号则可能产生竞争和冒险现象.解决方法:一是添加布尔式的消去项,二是在芯片外部加电容.
10、你知道那些常用逻辑电平?TTL与COMS电平可以直接互连吗?(汉王笔试)
常用逻辑电平:12V,5V,3.3V;TTL和CMOS不可以直接互连,由于TTL是在0.3-3.6V之间,而CMOS则是有在12V的有在5V的.CMOS输出接到TTL是可以直接互连.TTL接到CMOS需要在输出端口加一上拉电阻接到5V或者12V.
11、如何解决亚稳态.(飞利浦-大唐笔试)
亚稳态是指触发器无法在某个规定时间段内达到一个可确认的状态.当一个触发器进入亚
稳态时,既无法预测该单元的输出电平,也无法预测何时输出才能稳定在某个正确的电平
上.在这个稳定期间,触发器输出一些中间级电平,或者可能处于振荡状态,并且这种无
用的输出电平可以沿信号通道上的各个触发器级联式传播下去.
12、IC设计中同步复位与 异步复位的区别.(南山之桥)
13、MOORE 与 MEELEY状态机的特征.(南山之桥)
14、多时域设计中,如何处理信号跨时域.(南山之桥)
15、给了reg的setup,hold时间,求中间组合逻辑的delay范围.(飞利浦-大唐笔试)
Delay < period - setup – hold
16、时钟周期为T,触发器D1的建立时间最大为T1max,最小为T1min.组合逻辑电路最大延
迟为T2max,最小为T2min.问,触发器D2的建立时间T3和保持时间应满足什么条件.(华
为)
17、给出某个一般时序电路的图,有Tsetup,Tdelay,Tck->q,还有 clock的delay,写出决
定最大时钟的因素,同时给出表达式.(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
18、说说静态、动态时序模拟的优缺点.(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
19、一个四级的Mux,其中第二级信号为关键信号 如何改善timing.(威盛VIA
2003.11.06 上海笔试试题)
20、给出一个门级的图,又给了各个门的传输延时,问关键路径是什么,还问给出输入,
使得输出依赖于关键路径.(未知)
21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简,时序(同步异步差异),触发器有几种(区别,优
点),全加器等等.(未知)
22、卡诺图写出逻辑表达使.(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
23、化简F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和.(威盛)
24、please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-
well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the
operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? (威
盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)
25、To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define
the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?
26、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大?(仕兰微电子)
27、用mos管搭出一个二输入与非门.(扬智电子笔试)
28、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and
explain which input has faster response for output rising edge.(less delay
time).(威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)
29、画出NOT,NAND,NOR的符号,真值表,还有transistor level的电路.(Infineon笔
试)
30、画出CMOS的图,画出tow-to-one mux gate.(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
31、用一个二选一mux和一个inv实现异或.(飞利浦-大唐笔试)
32、画出Y=A*B+C的cmos电路图.(科广试题)
33、用逻辑们和cmos电路实现ab+cd.(飞利浦-大唐笔试)
34、画出CMOS电路的晶体管级电路图,实现Y=A*B+C(D+E).(仕兰微电子)
35、利用4选1实现F(x,y,z)=xz+yz’.(未知)
36、给一个表达式f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx用最少数量的与非门实现(实际上就是化
简).
37、给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图,根据输入波形画出各点波形.
(Infineon笔试)
38、为了实现逻辑(A XOR B)OR (C AND D),请选用以下逻辑中的一种,并说明为什
么?1)INV 2)AND 3)OR 4)NAND 5)NOR 6)XOR 答案:NAND(未知)
39、用与非门等设计全加法器.(华为)
40、给出两个门电路让你分析异同.(华为)
41、用简单电路实现,当A为输入时,输出B波形为…(仕兰微电子)
42、A,B,C,D,E进行投票,多数服从少数,输出是F(也就是如果A,B,C,D,E中1的个数比0
多,那么F输出为1,否则F为0),用与非门实现,输入数目没有限制.(未知)
43、用波形表示D触发器的功能.(扬智电子笔试)
44、用传输门和倒向器搭一个边沿触发器.(扬智电子笔试)
45、用逻辑们画出D触发器.(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
46、画出DFF的结构图,用verilog实现之.(威盛)
47、画出一种CMOS的D锁存器的电路图和版图.(未知)
48、D触发器和D锁存器的区别.(新太硬件面试)
49、简述latch和filp-flop的异同.(未知)
50、LATCH和DFF的概念和区别.(未知)
51、latch与register的区别,为什么现在多用register.行为级描述中latch如何产生的.
(南山之桥)
52、用D触发器做个二分颦的电路.又问什么是状态图.(华为)
53、请画出用D触发器实现2倍分频的逻辑电路?(汉王笔试)
54、怎样用D触发器、与或非门组成二分频电路?(东信笔试)
55、How many flip-flop circuits are needed to divide by 16? (Intel) 16分频?
56、用filp-flop和logic-gate设计一个1位加法器,输入carryin和current-stage,输出
carryout和next-stage. (未知)
57、用D触发器做个4进制的计数.(华为)
58、实现N位Johnson Counter,N=5.(南山之桥)
59、用你熟悉的设计方式设计一个可预置初值的7进制循环计数器,15进制的呢?(仕兰
微电子)
60、数字电路设计当然必问Verilog/VHDL,如设计计数器.(未知)
61、BLOCKING NONBLOCKING 赋值的区别.(南山之桥)
62、写异步D触发器的verilog module.(扬智电子笔试)
module dff8(clk , reset, d, q);
input clk;
input reset;
input [7:0] d;
output [7:0] q;
reg [7:0] q;
always @ (posedge clk or posedge reset)
if(reset)
q <= 0;
else
q <= d;
endmodule
63、用D触发器实现2倍分频的Verilog描述? (汉王笔试)
module divide2( clk , clk_o, reset);
input clk , reset;
output clk_o;
wire in;
reg out ;
always @ ( posedge clk or posedge reset)
if ( reset)
out <= 0;
else
out <= in;
assign in = ~out;
assign clk_o = out;
endmodule
64、可编程逻辑器件在现代电子设计中越来越重要,请问:a) 你所知道的可编程逻辑器
件有哪些? b) 试用VHDL或VERILOG、ABLE描述8位D触发器逻辑.(汉王笔试)
PAL,PLD,CPLD,FPGA.
module dff8(clk , reset, d, q);
input clk;
input reset;
input d;
output q;
reg q;
always @ (posedge clk or posedge reset)
if(reset)
q <= 0;
else
q <= d;
endmodule
65、请用HDL描述四位的全加法器、5分频电路.(仕兰微电子)
66、用VERILOG或VHDL写一段代码,实现10进制计数器.(未知)
67、用VERILOG或VHDL写一段代码,实现消除一个glitch.(未知)
68、一个状态机的题目用verilog实现(不过这个状态机画的实在比较差,很容易误解
的).(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
69、描述一个交通信号灯的设计.(仕兰微电子)
70、画状态机,接受1,2,5分钱的卖报机,每份报纸5分钱.(扬智电子笔试)
71、设计一个自动售货机系统,卖soda水的,只能投进三种硬币,要正确的找回钱
数. (1)画出fsm(有限状态机);(2)用verilog编程,语法要符合fpga设计
的要求.(未知)
72、设计一个自动饮料售卖机,饮料10分钱,硬币有5分和10分两种,并考虑找零1)
画出fsm(有限状态机);(2)用verilog编程,语法要符合fpga设计的要求;(3)设计
工程中可使用的工具及设计大致过程.(未知)
73、画出可以检测10010串的状态图,并verilog实现之.(威盛)
74、用FSM实现101101的序列检测模块.(南山之桥)
a为输入端,b为输出端,如果a连续输入为1101则b输出为1,否则为0.
例如a: 0001100110110100100110
b: 0000000000100100000000
请画出state machine;请用RTL描述其state machine.(未知)
75、用verilog/vddl检测stream中的特定字符串(分状态用状态机写).(飞利浦-大唐
笔试)
76、用verilog/vhdl写一个fifo控制器(包括空,满,半满信号).(飞利浦-大唐笔试)
77、现有一用户需要一种集成电路产品,要求该产品能够实现如下功能:y=lnx,其中,x
为4位二进制整数输入信号.y为二进制小数输出,要求保留两位小数.电源电压为3~5v假
设公司接到该项目后,交由你来负责该产品的设计,试讨论该产品的设计全程.(仕兰微
电子)
78、sram,falsh memory,及dram的区别?(新太硬件面试)
79、给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9
-14b),问你有什么办法提高refresh time,总共有5个问题,记不起来了.(降低温
度,增大电容存储容量)(Infineon笔试)
80、Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point out
which nodes can store data and which node is word line control? (威盛笔试题
circuit design-beijing-03.11.09)
81、名词:sram,ssram,sdram
名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR
IRQ: Interrupt ReQuest
BIOS: Basic Input Output System
USB: Universal Serial Bus
VHDL: VHIC Hardware Description Language
SDR: Single Data Rate
压控振荡器的英文缩写(VCO).
动态随机存储器的英文缩写(DRAM).
名词解释,无聊的外文缩写罢了,比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline、
IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSI VCO(压控振荡器) RAM (动态随机存储器),FIR IIR DFT(离散
傅立叶变换)或者是中文的,比如:a.量化误差 b.直方图 c.白平衡
关闭
站长推荐
/2
文章评论(0条评论)
登录后参与讨论