原创 转自ourdev的学习贴

2009-10-29 17:52 3017 7 8 分类: MCU/ 嵌入式

    对于论坛中提供代码的酷帖,大部分由于没有多少说明,且不是针对某一类问题的解答,基本只是会在楼下的楼下列出清单,而不会再对其专门组织整理。




                             按照使用外设模块
======================================================================
============================== GPIO/AFIO =============================
1、GPIO的推动能力
   


================================ Backup ==============================


========================== Reset/Clock Control =======================
1、时钟安全系统(CSS)
   时钟安全系统被激活后,时钟监控器将实时监控外部高速振荡器;如果HSE时钟发生故障,外部振荡器自动被关闭,产生时钟安全中断,该中断被连接到Cortex-M3的NMI的中断;同时CSS将内部RC振荡器切换为STM32的系统时钟源(对于STM32F103,时钟失效事件还将被送到高级定时器TIM1的刹车输入端,用以实现电机保护控制)。
   操作流程:
   1)、启动时钟安全系统CSS:   RCC_ClockSecuritySystemCmd(ENABLE); (NMI中断是不可屏蔽的!)

   2)外部振荡器失效时,产生NMI中断,对应的中断程序:
    void NMIException(void)
    {
      if (RCC_GetITStatus(RCC_IT_CSS) != RESET)
        {      // HSE、PLL已被禁止(但是PLL设置未变)
          …… // 客户添加相应的系统保护代码处
               // 下面为HSE恢复后的预设置代码
          RCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON);           // 使能HSE
          RCC_ITConfig(RCC_IT_HSERDY, ENABLE); // 使能HSE就绪中断
          RCC_ITConfig(RCC_IT_PLLRDY, ENABLE); // 使能PLL就绪中断
          RCC_ClearITPendingBit(RCC_IT_CSS);   // 清除时钟安全系统中断的挂起位
          // 至此,一旦HSE时钟恢复,将发生HSERDY中断,在RCC中断处理程序里, 系统时钟可以设置到以前的状态
        }
    }

   3)、在RCC的中断处理程序中,再对HSE和PLL进行相应的处理。

注意:一旦CSS被激活,当HSE时钟出现故障时将产生CSS中断,同时自动产生 NMI。NMI将被不断执行,直到CSS中断挂起位被清除。因此,在NMI的处理程序中 必须通过设置时钟中断寄存器(RCC_CIR)里的CSSC位来清除CSS中断。

2、SysTick工作原理
   Cortex-M3的内核中包含一个SysTick时钟。SysTick 为一个24位递减计数器,SysTick设定初值并使能后, 每经过1个系统时钟周期,计数值就减1。计数到0时, SysTick计数器自动重装初值并继续计数,同时内部的 COUNTFLAG标志会置位,触发中断(如果中断使能)。


3、内部时钟输出PA.8(MCO)
   STM32的PA.8引脚具有复用功能——时钟输出(MCO), 该功能能将STM32内部的时钟通过PA.8输出.
   操作流程:
   1)、设置PA.8为复用Push-Pull模式。
    GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_8;
    GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
    GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;
    GPIO_Init(GPIOA, &GPIO_InitStructure);

   2)、选择输出时钟源。
    时钟的选择由时钟配置寄存器(RCC_CFGR)中的MCO[2:0]位控制。
    RCC_MCOConfig(RCC_MCO);
    参数RCC_MCO为要输出的内部时钟:
      RCC_MCO_NoClock --- 无时钟输出
      RCC_MCO_SYSCLK --- 输出系统时钟(SysCLK)
      RCC_MCO_HSI --- 输出内部高速8MHz的RC振荡器的时钟(HSI)
      RCC_MCO_HSE --- 输出高速外部时钟信号(HSE)
      RCC_MCO_PLLCLK_Div2 --- 输出PLL倍频后的二分频时钟(PLLCLK/2)

注:由于STM32 GPIO输出管脚的最大响应频率为50MHz,如果输出频率超过50MHz,则输出的波形会失真。

4、可编程电压监测器(PVD)
   STM32内部自带PVD功能,用于对MCU供电电压VDD进行监控。通过电源控制寄存器中的PLS[2:0]位可以用来设定监控电压的阀值,通过对外部电压进行比较来监控电源。当条件触发,需要系统进入特别保护状态,执行紧急关闭任务:对系统的一些数据保存起来,同时对外设进行相应的保护操作。
   操作流程:
    1)、系统启动后启动PVD,并开启相应的中断。
    PWR_PVDLevelConfig(PWR_PVDLevel_2V8); // 设定监控阀值 
    PWR_PVDCmd(ENABLE); // 使能PVD 
    EXTI_StructInit(&EXTI_InitStructure); 
    EXTI_InitStructure.EXTI_Line = EXTI_Line16; // PVD连接到中断线16上 
    EXTI_InitStructure.EXTI_Mode = EXTI_Mode_Interrupt; //使用中断模式 
    EXTI_InitStructure.EXTI_Trigger = EXTI_Trigger_Raising;//电压低于阀值时产生中断 
    EXTI_InitStructure.EXTI_LineCmd = ENABLE; // 使能中断线 
    EXTI_Init(&EXTI_InitStructure); // 初始
       EXTI_InitStructure.EXTI_Trigger的赋值可选项:
              EXTI_Trigger_Rising---表示电压从高下降到低于设定阀值时产生中断;
       EXTI_Trigger_Falling---表示电压从低上升到高于设定阀值时产生中断;
              EXTI_Trigger_Rising_Falling---表示电压上升或下降越过设定阀值时都产生中断。

    2)、当工作电压低于设定阀值时,将产生PVD中断,在中断程序中进行相应的处理:
    void PVD_IRQHandler(void) 
    {
      EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line16);
      …… // 用户添加紧急处理代码处
    }

5、STM32上不使用外部晶振,OSC_IN和OSC_OUT的接法 
   1)、对于100脚或144脚的产品,OSC_IN应接地,OSC_OUT应悬空。
   2)、对于少于100脚的产品,有2种接法:
     2.1)、OSC_IN和OSC_OUT分别通过10K电阻接地。
           此方法可提高EMC性能。
     2.2)、分别重映射OSC_IN和OSC_OUT至PD0和PD1,再配置PD0和PD1为推挽输出并输出'0'。
           此方法可以减小功耗并(相对上面2.1),并节省2个外部电阻。


============================ Interrupt/Evens =========================
1、NVIC的优先级概念
   占先式优先级 (pre-emption priority):
   高占先式优先级的中断事件会打断当前的主程序/中断程序运行— —抢断式优先响应,俗称中断嵌套。

   副优先级(subpriority):
   在占先式优先级相同的情况下,高副优先级的中断优先被响应;
   在占先式优先级相同的情况下,如果有低副优先级中断正在执行, 高副优先级的中断要等待已被响应的低副优先级中断执行结束后才 能得到响应——非抢断式响应(不能嵌套)。

2、判断中断是否会被响应的依据
    首先是占先式优先级,其次是副优先级;
    占先式优先级决定是否会有中断嵌套;
    Reset、NMI、Hard Fault 优先级为负(高于普通中断优先级)且不可调整。

3、STM32中用到的Cortex-M3寄存器说明
   在STM32中用到了Cortex-M3定义的三组寄存器,有关这三组寄存器的说明不在STM32的技术手册中,需要参考ARM公司发布的Cortex-M3 Technical Reference Manual (r2p0)。
   在STM32的固件库中定义了三个结构体与这三个寄存器组相对应,这三个结构体与ARM手册中寄存器的对应关系如下:

   1)、NVIC寄存器组
       STM32的固件库中有如下定义:
       typedef struct
       {
         vu32 ISER[2];
         u32 RESERVED0[30];
         vu32 ICER[2];
         u32 RSERVED1[30];
         vu32 ISPR[2];
         u32 RESERVED2[30];
         vu32 ICPR[2];
         u32 RESERVED3[30];
         vu32 IABR[2];
         u32 RESERVED4[62];
         vu32 IPR[11];
       } NVIC_TypeDef;

       它们对应ARM手册中的名称为
       ISER = Interrupt Set-Enable Registers
       ICER = Interrupt Clear-Enable Registers
       ISPR = Interrupt Set-Pending Register
       ICPR = Interrupt Clear-Pending Register
       IABR = Active Bit Register
       IPR = Interrupt Priority Registers

       每个寄存器有240位,以Interrupt Set-Enable Registers说明,ISER[0]对应中断源0~31,ISER[1]对应中断源32~63,STM32只有60个中断源,所以没有ISER[2:7]。

       参考STM32技术参考手册中的中断向量表,中断源的位置为:
       位置0 - WWDG = Window Watchdog interrupt
       位置1 - PVD = PVD through EXTI Line detection interrupt
       位置2 - TAMPER = Tamper interrupt
       ......
       位置58 - DMA2_Channel3 = DMA2 Channel3 global interrupt
       位置59 - DMA2_Channel4_5 = DMA2 Channel4 and DMA2 Channel5 global interrupts

 
   2)、系统控制寄存器组
       STM32的固件库中有如下定义:
       typedef struct
       {
         vuc32 CPUID;
         vu32 ICSR;
         vu32 VTOR;
         vu32 AIRCR;
         vu32 SCR;
         vu32 CCR;
         vu32 SHPR[3];
         vu32 SHCSR;
         vu32 CFSR;
         vu32 HFSR;
         vu32 DFSR;
         vu32 MMFAR;
         vu32 BFAR;
         vu32 AFSR;
       } SCB_TypeDef; /* System Control Block Structure */
       
       它们对应ARM手册中的名称为
       CPUID = CPUID Base Register
       ICSR = Interrupt Control State Register
       VTOR = Vector Table Offset Register
       AIRCR = Application Interrupt/Reset Control Register
       SCR = System Control Register
       CCR = Configuration Control Register
       SHPR = System Handlers Priority Register
       SHCSR = System Handler Control and State Register
       CFSR = Configurable Fault Status Registers
       HFSR = Hard Fault Status Register
       DFSR = Debug Fault Status Register
       MMFAR = Mem Manage Address Register
       BFAR = Bus Fault Address Register
       AFSR = Auxiliary Fault Status Register

   3)、系统时钟寄存器组
       STM32的固件库中有如下定义:
       typedef struct
       {
         vu32 CTRL;
         vu32 LOAD;
         vu32 VAL;
         vuc32 CALIB;
       } SysTick_TypeDef;

       它们对应ARM手册中的名称为
       CTRL = SysTick Control and Status Register
       LOAD = SysTick Reload Value Register
       VAL = SysTick Current Value Register
       CALIB = SysTick Calibration Value Register


================================= DMA ================================
1、DMA普通模式和循环模式的区别
   循环模式:用于处理一个环形的缓冲区,每轮传输结束时数据传输 的配置会自动地更新为初始状态,DMA传输会连续不断地进行。
   普通模式:在DMA传输结束时,DMA通道被自动关闭,进一步的 DMA请求将不被满足。

2、DMA传输需要指定的条件:
   传输源:DMA控制器从传输源读出数据;
   传输目标:DMA控制器将数据传输的目标;
   触发信号:用于触发一次数据传输的动作,执行一个单位的传输源至传输目标的数据传输。可以用来控制传输的启动条件。



================================= ADC ================================
1、STM32的内部温度传感器
   STM32内部温度传感器与ADC的通道16相连,与ADC配 合使用实现温度测量。测量范围–40~125℃,精度 ± 1.5℃
   操作流程:
   1)、设置ADC相关参数
   // ADC1 configuration -----------------------------
   ADC_InitStructure.ADC_Mode = ADC_Mode_Independent;
   ADC_InitStructure.ADC_ScanConvMode = ENABLE;
   ADC_InitStructure.ADC_ContinuousConvMode = ENABLE;
   ADC_InitStructure.ADC_ExternalTrigConv = ADC_ExternalTrigConv_None;
   ADC_InitStructure.ADC_DataAlign = ADC_DataAlign_Right;
   ADC_InitStructure.ADC_NbrOfChannel = 1;
   ADC_Init(ADC1, &ADC_InitStructure);

   2)、选中ADC1的通道16作为输入,设置采样时间17.1us ( Ncycle × tADC = 17.1靤 )。
   // ADC1 regular channel16 Temp Sensor configuration
   ADC_RegularChannelConfig(ADC1, ADC_Channel_16, 1, ADC_SampleTime_55Cycles5);

   3)、设置寄存器ADC_CR2中的TSVREFE位激活温度传感器
   // Enable the temperature sensor and vref internal channel
   ADC_TempSensorVrefintCmd(ENABLE);
  
   4)、转换采样值为温度
   ADC转换结束以后,读取ADC_DR寄存器中的结果,转换温度值计算公式如下:
           V25 - VSENSE
   T(℃) = ------------  + 25
            Avg_Slope
      V25:  温度传感器在25℃时 的输出电压,典型值1.43 V。
     VSENSE:温度传感器的当前输出电压,与ADC_DR 寄存器中的结果ADC_ConvertedValue之间的转换关系为: 
                       ADC_ConvertedValue * Vdd
             VSENSE = --------------------------
                       Vdd_convert_value(0xFFF)
     Avg_Slope:温度传感器输出电压和温度的关联参数,典型值4.3 mV/℃。

     //Converted Temperature
     Vtemp_sensor = ADC_ConvertedValue * Vdd / Vdd_convert_value;
     Current_Temp = (V25 - Vtemp_sensor)/Avg_Slope + 25;

2、VDDA的电压范围
    STM32的数据手册规定,VDD与VDDA之间的压差不能大于300mV。ADC的工作电压范围在2.4V~3.6V,供电电压VDD范围在2.0V~3.6V.


================================= DAC ================================


============================= Advanced Timer =========================


============================== General Timer =========================


================================ Base Timer ==========================


============================= Real-Time Clock ========================


=========================== Independent watchdog =====================


============================= Windows Watchdog =======================


================================== FSMC ==============================


================================== SDIO ==============================


================================== USB ===============================
1、STM32的USB中断说明 
   STM32的USB模块可产生三种中断:USB唤醒中断、USB高优先级中断和USB低优先级中断,这三种中断对应事件如下:
   1)、USB唤醒中断 - 在中断向量表中的位置是42
   这个中断在USB设备从暂停模式唤醒时产生,唤醒事件由USB_ISTR寄存器的WKUP位标识。

   2)、USB高优先级中断 - 在中断向量表中的位置是19
   这个中断仅由USB同步(Isochronous)模式传输或双缓冲块(Bulk)传输模式下的正确传输事件产生,正确传输事件由USB_ISTR寄存器的CTR位标识。

   3)、USB低优先级中断 - 在中断向量表中的位置是20
   这个中断由所有其它的USB事件产生,例如正确传输(不包括同步模式和双缓冲块模式)、USB复位等,事件标志位在USB_ISTR寄存器中。

   在STM提供的STM32 USB 开发包中的例程包含了上述三种中断的处理方法。例如在USB Speaker例程中,CTR_HP函数处理USB高优先级中断;在所有例子中都有USB_Istr()函数处理USB低优先级中断。



================================= bxCAN ==============================
1、CAN波特率的设定计数
   
================================ Etherne ==============================


================================== SPI ===============================
1、SPI外设的NSS引脚设置为通用IO口
   由于SPI外设的SPI_CR1寄存器中SSM置1时,NSS引脚可被被释放用于GPIO使用,因此无论是在SPI的主模式或是从模式下均可以将NSS引脚释放,由软件或硬件进行NSS管理;
   操作流程:
   1)、初始化SPI外设,设置NSS由软件管理:
   SPI_InitStructure.SPI_NSS= SPI_NSS_Soft;
   2)、如果NSS引脚用于其他外设时,需要使能NSS输出:
   SPI_SSOutputCmd(SPIx, ENABLE);

2、SPI 单线传输
   此模式下限制:只能用作输入或者输出,或者工作在半双工模式下。



================================== I2C ===============================


================================= USART ==============================


============================ Device Signature ========================
1、    STM32F10xxx系列MCU内部含有一个出厂被固化的96bit唯一识别ID,该ID可以用于芯片加密、设备识别等一类特殊应用。
读取该ID的方法:
    u32 DevID[3];
    DevID[0] = *(vu32*)(0x1ffff7e8);
    DevID[1] = *(vu32*)(0x1ffff7ec);
    DevID[2] = *(vu32*)(0x1ffff7f0);

    数组DevID[3]中即保存了MCU的ID。

注:256K Flash或以上容量的STM32,仅“Z”版本才有,之前的“A”版本没有。


2、


================================== I2C ===============================



================================= Flash ==============================
1、STM32对内部Flash的保护措施 
   所有STM32的芯片都提供对Flash的保护,防止对Flash的非法访问 - 写保护和读保护。
   1)、读保护即大家通常说的“加密”,是作用于整个Flash存储区域。一旦设置了Flash的读保护,内置的Flash存储区只能通过程序的正常执行才能读出,而不能通过下述任何一种方式读出:
  通过调试器(JTAG或SWD);
  从RAM中启动并执行的程序;
   2)、写保护是以四页(1KB/页) Flash存储区为单位提供写保护,对被保护的页实施编程或擦除操作将不被执行,同时产生操作错误标志。  
   读与写设置的效果见下表:
   读保护  写保护       对Flash的操作功能
    有效   有效   CPU只能读,禁止调试和非法访问。
    有效   无效   CPU可以读写,禁止调试和非法访问,页0~3为写保护。
    无效   有效   CPU可读,允许调试和非法访问。
    无效   无效   CPU可以读写,允许调试和非法访问。

2、当Flash读保护生效时,CPU执行程序可以读受保护的Flash区,但存在两个例外情况:
   1)、调试执行程序时;
   2)、从RAM启动并执行程序时

   STM32还提供了一个特别的保护,即对Flash存储区施加读保护后,即使没有启用写保护,Flash的第 0 ~ 3 页也将处于写保护状态,这是为了防止修改复位或中断向量而跳转到RAM区执行非法程序代码。

3、Flash保护相关函数
   FLASH_Unlock();   //Flash解锁
   FLASH_ReadOutProtection(DISABLE);  //Flash读保护禁止  
   FLASH_ReadOutProtection(ENABLE);   //Flash读保护允许


================================== CRC ===============================
1、CRC计算公式
   所有的STM32芯片都内置了一个硬件的CRC计算模块,可应用到通信程序中,这个CRC计算模块使用常见的、在以太网中使用的计算多项式:
    X32 + X26 + X23 + X22 + X16 + X12 + X11 + X10 +X8 + X7 + X5 + X4 + X2 + X + 1
   写成16进制就是:0x04C11DB7

2、使用这个内置CRC模块操作步骤:
   复位CRC模块(设置CRC_CR=0x01),这个操作把CRC计算的余数初始化为0xFFFFFFFF
   把要计算的数据按每32位分割为一组数据字,并逐个地把这组数据字写入CRC_DR寄存器(既下图中的绿色框)
   写完所有的数据字后,就可以从CRC_DR寄存器(既下图中的兰色框)读出计算的结果。

注意:虽然读写操作都是针对CRC_DR寄存器,但实际上是访问的不同物理寄存器。

3、C语言描述的这个计算模块算法。可放在通信的另一端,对通信的正确性进行验证:

   DWORD dwPolynomial = 0x04c11db7;
   DWORD cal_crc(DWORD *ptr, int len)
   {
    DWORD xbit;
    DWORD data;
    DWORD CRC = 0xFFFFFFFF; // init
    while (len--) 
    {   
      xbit = 1 << 31;

      data = *ptr++;
      for (int bits = 0; bits < 32; bits++) 
      {
        if (CRC & 0x80000000) 
        {
          CRC <<= 1;
          CRC ^= dwPolynomial;
        }else
        CRC <<= 1;
       if (data & xbit)
       CRC ^= dwPolynomial;

       xbit >>= 1;
      }
     }
     return CRC;
    }

注意
1)、上述算法中变量CRC,在每次循环结束包含了计算的余数,它始终是向左移位(既从最低位向最高位移动),溢出的数据位被丢弃。
2)、输入的数据始终是以32位为单位,如果原始数据少于32位,需要在低位补0,当然也可以高位补0。
3)、假定输入的DWORD数组中每个分量是按小端存储。
4)、输入数据是按照最高位最先计算,最低位最后计算的顺序进行。
例如:
如果输入0x44434241,内存中按字节存放的顺序是:0x41, 0x42, 0x43, 0x44。计算的结果是:0xCF534AE1
如果输入0x41424344,内存中按字节存放的顺序是:0x44, 0x43, 0x42, 0x41。计算的结果是:0xABCF9A63





======================================================================



                             按照使用编译器
======================================================================
================================== IAR ===============================
1、IAR环境下如果链接工程文件,出现堆栈溢出错误,该如何处理?

   打开链接文件lnkarm_flash.xcl或者是lnkarm_ram.xcl 
//************************************************************************* 
// Stack and heap segments. 
//************************************************************************* 

-D_CSTACK_SIZE=400 <----------------------------------------修改这里 

注:该修改方式仅适合IAR for ARM 4.xx版本。

2、IAR编译输出HEX格式的目标文件
   1)、Options->C/C++ Compiler->Output->Generate debug information        选项前的钩去掉
   2)、Options->Assembler->Output->Generate debug information             选项前的钩去掉
   3)、Options->Linker->Output->Output File->Override default             选项前的钩选上并把文件名的后缀改成.hex
   4)、Options->Linker->Output->Output File->Format->Other                选项前的钩选上并把Output格式改为intel-extended
   经过以上设置,在Rebuld All之后会在\Debug\Exe下生成.hex格式目标文件 

3、IAR编译输出BIN格式的目标文件
   1)、Options->C/C++ Compiler->Output->Generate debug information        选项前的钩去掉
   2)、Options->Assembler->Output->Generate debug information             选项前的钩去掉
   3)、Options->Linker->Output->Output File->Override default             选项前的钩选上并把文件名的后缀改成.bin
   4)、Options->Linker->Output->Output File->Format->Other                选项前的钩选上并把Output格式改为row-binary
   经过以上设置,在Rebuld All之后会在\Debug\Exe下生成.bin格式目标文件 


================================== MDK ===============================
1、在MDK代码编辑环境下不能使用Goto Definition(用于查找某个变量的类型及定义)、Goto Reference(用于查找某个函数申明的原型)功能?

解决:打开Project->Target-Options->Output,将Browse Information复选框勾上。


2、当使用STM32固件库与RTX Kernel时,使用isr_evt_set(),事件无响应?

解决:编辑STM32固件库的“stm32f10x_vector.s”文件:
...
    IMPORT  SVC_Handler     ;name changed according to RTX usage
    IMPORT  DebugMonitor
    IMPORT  PendSV_Handler  ;修改加入
    IMPORT  SysTick_Handler ;name changed according to RTX usage
...
    DCD  SVC_Handler
    DCD  DebugMonitor
    DCD  0                   ; Reserved
    DCD  PendSV_Handler      ;修改加入
    DCD  SysTick_Handler

3、





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本贴被 Grant 编辑过,最后修改时间:2009-08-19,01:14:11.
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文章评论1条评论)

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用户44393 2010-2-8 10:31

非常好,受教了

用户1415514 2009-7-26 11:46

是呀!老师和学生要通力合作

用户1639460 2009-7-15 08:38

支持哈1也是的!今年我也的参加的!

用户181957 2009-6-20 14:59

正在为大赛积极准备中。 一起加油啊!!

用户536946 2009-5-5 20:44

很好 这次机会和过程中使我们能从中学到很多东西 支持!

用户545103 2009-4-28 10:00

是啊~ 其实比赛那不拿奖不重要重要的是能发现自己的不足吧~~

xucun915_925777961 2009-4-28 09:13

不错,曾经也参加过,但是心态真的不一样……

用户191063 2009-4-27 23:15

能不能解决好就是能力的问题了!!!!

用户159780 2009-4-27 19:26

都是老师做了大部分工作,参赛的学生选手只做很少一部分,而且大部分东西都是比赛前做好的!然后带进比赛场地组装并加一些小的改进,貌似你们就不知情.

用户192150 2009-4-26 21:12

同意楼主的观点,我也报名参加了今年的电子设计大赛
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