a.布线电气特性分析基础:目前人们正在开发各种类型的超高速半导体集成电路元件,其中包括约瑟夫森器件,采用GaAs的HEMT(high electron mobility transistor:高电子迁移率三极管)和MESFET(metal semiconductor field effect transistor:金属-半导体场效应三极管)、采用Si的ECL(emitter couple logic:发射极耦合逻辑)器件等,与此相关,需要研究高频信号的传输特性,以GaAs超高速器件处理的信号为例,人们正对高速脉冲的传输特性、布线间的交叉噪声特性、减少交叉噪声的措施等进行广泛的研究,此外CMOS(complementary metal oxide semiconductor:互补金属氧化物半导体)器件的高速化也取得显著进展;
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