原创 LF355/LF356/LF357中文数据手册

LF355/356/357 JFET输入型运算放大器——中文数据手册

--by LF

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整体描述:

这些是第一个合成的JFET输入的运算放大器，它把匹配的高电压的JFET晶体管和标准的双极性晶体管放到了一块芯片上（双极FET技术）。这些运放的特征是低输入失调和偏置电流、低偏置电压和偏置电压漂移、可以进行偏置调节而不会降低漂移和共模抑制比。这些运放也设计有高压摆率、宽带宽、极快的建立时间、低电压电流噪声。

特征：

优点

--代替昂贵的混合型和模块型FET运算放大器

--低噪声应用性能优异——高或低的输入源阻抗均可

--偏置可调不会像其他合成型运放降低漂移和共模抑制比

--新的输出阶段可以接入大的电容负载（5000pF）不会出现稳定性问题

--内部补偿和可承受大的差分输入电压

应用：

--精密高速积分器

--快速模/数和数/模转换器

--高阻抗缓冲保护

--宽带、低噪、低漂移放大器

--对数放大器

--光电放大器

--采样保持电路

共同特性：

--低输入失调电流——30pA

--低输入偏置电流——3pA

--高输入阻抗——10的12次方Ω

--低输入噪声电流——0.01pA/sqrt(Hz)

--高共模抑制比——100dB

--高直流增益——106dB

不同特性：

--极快的建立时间——5系列4us，6系列7系列1.5us

--快速的压摆率——5系列5V/us，6系列12V/us，7系列50V/us

--宽增益带宽——5系列2.5MHz，6系列5MHz，7系列20MHz

--低输入噪声电压——5系列20nV/sqrt(Hz)，6系列7系列12nV/sqrt(Hz)

供电电压：±15V

典型电路连接：

Vos调节

--Vos用一个25k的电位器调节

--电位器中间调节端连到V+

驱动容性负载

--对于LF155/6 R=5k

--对于LF357 R=1.25k

--由于独特的输出平台设计，这些放大器能够驱动大的容性负载并且能保持稳定性。Cl（MAX）≈0.01uF

--建立时间（Ts）≈5us

大功率带宽放大器

--小于等于1%的失真度，20V峰峰值的输出抖动，功率带宽为500kHz

建立时间测试电路

--LF155/6连接成单位增益变频器来测试建立时间，LF357连接使得Av=-5

--FET用来隔离探头的电容

--输出10V步进

--对于LF357来说Av = -5

宽带低噪低漂移放大器

--寄生输入电容C1≈（LF355是3pF，LF356和LF357要加上额外的布局电容）和反馈因素相互作用产生高频极点。增加一个电容C2补偿，满足R2C2≈R1C1。

低漂移峰值检测器

--通过增加D1和Rf，VD1=0使其工作在保持模式下。D2的漏电由Rf的反馈路径提供。

--电路的漏电由本身的Ib（LF355，LF356）加上电容Cp的漏电。

--二极管D3锁定Vout（A1）及Vin-VD3用来提高速度并且限制D2的反向失调。

--最大输入频率应远远小于1/2πRfCD2，这里的CD2是D2的旁路电容。

高Q值的带通滤波器

--增加了正反馈（R2）

--Q值增加到40

--fBP=100kHz——Vout/Vin=10sqrt(Q)