原创 TIDSP C6203B 实战经验点滴

1、EMIF或XBUS异步读/写脉冲宽度
C6203B为了能与不同存取（Access）速度的异步设备（或器件）如SRAM、Flash等连接，可通过设置相关寄存器的参数来控制读/写脉冲的宽度，EMIF总线的寄存器为CECTL0~3，XBUS总线为XCECTL0~3，总线读/写脉冲的宽度由这些寄存器中的“Setup”和“Strobe”位值决定。
加电复位后，缺省值（最大值）为：Setup=1111(15)，Strobe=111111(63)，这样，Setup+Strobe=15+63=78，如果使用250MHz系统时钟，其周期T=4ns，那么78x4=312ns。也就是说，EMIF/XBUS总线最低可接300ns的异步设备（器件），好在一般SRAM、Flash等的存取速度均在100ns左右，故都可直接与EMIF/XBUS总线相连。

2、DMA传输问题
C6203B进行DMA传输时虽然可以字节(8bit)方式传输，但在DMA Config时，源/目的地址仍使用Uint32类型指针，因此，如果只传输1个字节，也要使用Uint21指针变量。如果确要使用Uint8型的，则必须定义一个元素是4的整数倍的数组，如：
Uint8 buf[4];
否则DMA传输数据不正确。

3、外部中断触发沿
C6023B的外部中断INT4~INT7缺省情况是“下降沿”触发的，但在BIOS配置中可以更改为“上升沿”触发，有些用户往往忽略了这一点，例如，初学者先是买一套开发板学习，然后参照开发板设计自己的硬件电路，再把开发板的源程序例子移植到自己的系统中，但在调式中断时发现总是不对却又找不到原因。其实原因很简单，就是开发板可能在BIOS配置时将某个中断改为“上升沿”触发了，而用户自己设计的电路仍是“下降沿”触发的。只要修改一下BIOS配置就可以了。

4、通用I/O口的复位状态和驱动电流
C6203B的缓冲串口(McBSP)可以配置成通用I/O口使用，系统加电复位后，未配置前所有缓冲串口引脚均处于“高阻”状态，用户可根据需要，对某个I/O口加4.7K"上拉“电阻或20K”下拉“电阻使其复位后固定在"高电平”或“低电平”；此外，缓冲串口作为普通I/O口使用时，其最大驱动电流为8mA，因此驱动负载时要注意，例如驱动光耦时，限流电阻要选择适当，以HCPL-181为例，电压为3.3V，限流电阻取510Ω就可以，驱动电流I=3.3/510=6mA,既达到181开关导通电流（5mA),又未超过最大驱动电流（8mA）。

5、关于C++地址指针增量重载运算符“++”
在一般的C++中，增量运算符“++”表示“加1”，在DSP C++(CCS)编译器中，对于普通变量，仍表示“加1”，但对于不同类型的地址指针变量，重载运算符“++”时有不同含义：
32位地址指针(unsigned int *)：加4（一个双字）；
16位地址指针(unsigned short *)：加2（一个字）；
8位地址指针(unsigned char *)：加1（一个字节）。
同理，“--”运算符也有类似的情况。下面举一个例子来说明：
假设C6203B的EMIF总线上CE1(0x01400000)接的是8bit并行Flash（如：SST39VF080），且DSP的EA21~EA2接Flash的A19~A0。在程序中定义：
Uint32 data,*dp=CE0;
那么指令：data=*dp++;第一次data取的是Flash的0~3单元的内容，然后dp指向Flash的4单元；第二次data取的是Flash的4~7单元内容...
如果定义：Uint8 data,*dp=CE0;由于EA2接A0，那么必须使用：data=*(dp++<<2);来读取Flash的0,1,2...单元的内容。