亚纳米级电子加工,在薄晶片上可做出单个元件尺寸50~100纳米[〔正投影〕见方]的不同元件.用行列数
字控制平台移动晶片,并要加挡板.离子源用磁电会聚成极细离子线束,为防溅射过界,引力高压电极做成极细针
状,离子束过电磁筛,除去大颗粒离子物.在加工过程中,系统要加热一定温度,减少弹性污染,加深溅射深度.
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