原创 Micsig光隔离探头实测案例——氮化镓GaN半桥上管测试

测试背景

地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室

测试对象：氮化镓半桥快充

测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试

测试探头：麦科信OIP系列光隔离探头

现场条件

因该氮化镓快充PCBA设计密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最优方案的同轴延长线连接（通常推荐采用MCX母座连接，可最大限度减少引线误差）。

现场连接图如下：

现场测试步骤

1.将探头连接10X衰减器，并将衰减器插入同轴延长线；

2.将OIP探头连接示波器第4通道并开机；

3.将示波器对应通道衰减比设置10X，将输入电阻设置为50Ω；

4.给目标板上电；

测试结果

1.Vgs控制电压5.1V左右，信号光滑无任何畸变；

2.上管关断瞬间负冲0.5V左右，在氮化镓器件安全范围；

3.下管关断瞬间引起的负冲在2.2V左右，在氮化镓器件安全范围；

4.Vgs信号上升时间240ns左右。

（以上数据通过截屏读数）

结论

1.目标板设计合理，Vgs控制信号近乎完美；

2.测试显示Vgs信号无任何震荡，共模干扰被完全抑制；

3.OIP系列光隔离探头测试氮化镓半桥上管Vgs，没有引起炸管。