原创 防电流倒灌的MX5050T在电网数据采集器和集中器中的应用

无锡明芯的防电流倒灌的OR-ing MOSFET控制　MX5050T在电网数据采集器和集中器中的应用

在电网的数据采集器和数据集中器中，通常有隔离反激的方式提供辅助电源，为了保证系统的稳定性，通常也有个超级电容或者电池做备电， 这就用到了两路供电的冗余电源OR-ing结构．在其中的一个具体的应用案例中， 客户利用这个OR-ing的结构， 后级采用升降压电路得到一个稳定的5v输出，由于带了LED屏等，需要大致5v3A的稳定功率,最大电流可能要达到10A,

当反激供电时候产生的反激输出12v有升降压电路用降压产生5v输出， 当反激的220v主回路没电的时候，超级电容或者是电池开始供3.3v电压，这时候就需要升压到5v， 我们不能让12v给3.3v的电池充电， 也不希望3.3v电池在放电的时候让12v的充电头带电，这就用到了防电流倒灌的技术

过去大都采用肖特基的方式防止电流倒灌，但是肖特基的压降大，具体到这个应用电流3A产生的功耗达到2W，而且3.3v的电池最低电压可能要到2.5Ｖ减去0.7v~1V的肖特基硅管的压降之后只有1~2v的电压了，这给后面的升压电路带来了挑战，采用了无锡明芯的MX5050T就成功的解决了客户的问题

外面选用NMOS降低了损耗，减少了压降，反应速度快，输出电压比输入电压高20mV截止

     前级采用无锡明芯的PSR的MX1118AS ,在最大电流小于5A的情况下，防止电流倒灌的MX5050T可以换为内置MOS的电子保险丝MX25947，最大工作电流5A，最大瞬态电流7A，电流5A往下可调